[發明專利]一種封裝結構及封裝方法在審
| 申請號: | 201811628848.3 | 申請日: | 2014-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN109801846A | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發明(設計)人: | 譚琳;王謙;蔡堅;陳瑜 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/488 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝結構 基板 封裝 芯片 結構層 空腔 圍壩 芯片電連接 模塑材料 引線連接 保護層 模塑腔 焊盤 貼裝 消耗 暴露 覆蓋 | ||
本發明公開了一種封裝結構及封裝方法,其中,該封裝結構包括:基板;芯片,貼裝在所述基板上;引線,用于將所述基板與所述芯片電連接;圍壩結構層,放置在所述基板上,具有使所述芯片、所述引線以及與所述引線連接的焊盤暴露的空腔,且所述圍壩結構層的高度高于所述引線的高度;以及保護層,形成在所述空腔內,用于覆蓋所述芯片和所述引線。上述的封裝結構及封裝方法能夠解決現有技術中模塑腔體設計難度大、模塑工藝復雜、造價高以及模塑材料量消耗大的問題。
本案為2014年01月26日遞交的題為“一種封裝結構及封裝方法”的中國發明專利申請201410038452.9的分案申請。
技術領域
本發明涉及半導體領域,尤其涉及一種封裝結構及封裝方法。
背景技術
傳統的窄節距焊球陣列(FBGA)產品的封裝流程如圖1所示:S100,芯片貼裝;S102,引線鍵合;S104,模塑、固化;S106,植球;S108,切割。其中步驟S104中模塑工藝是將模塑料在高溫高壓下注入模塑腔,模塑料覆蓋整個基板上表面,經過聚合物的交聯反應再經固化成形,起到保護引線提高器件可靠性的目的。圖2示出了現有技術的封裝結構的側視圖,圖3示出了現有技術的封裝結構的俯視圖,其中,標號10表示基板,12表示芯片,14表示引線,16表示模塑料,18表示焊球陣列。但此工藝過程復雜耗時,模塑腔體的設計難度大、模塑工藝復雜、造價高,模塑材料量消耗大。
發明內容
本發明的目的是提供一種封裝結構及封裝方法,以解決現有技術中模塑腔體設計難度大、模塑工藝復雜、造價高以及模塑材料量消耗大的問題。
為了實現上述目的,本發明提供一種封裝結構,其中,該封裝結構包括:基板;芯片,貼裝在所述基板上;引線,用于將所述基板與所述芯片電連接;圍壩結構層,放置在所述基板上,具有使所述芯片、所述引線以及與所述引線連接的焊盤暴露的空腔,且所述圍壩結構層的高度高于所述引線的高度;以及保護層,形成在所述空腔內,用于覆蓋所述芯片和所述引線。
優選地,所述保護層由環氧塑封料形成。
優選地,所述圍壩結構層由假基板形成。
本發明還提供了一種封裝方法,其中,該方法包括:提供基板;在所述基板上貼裝芯片;使用引線鍵合工藝通過引線將所述基板與所述芯片電連接;在所述基板上放置圍壩結構層,所述圍壩結構層具有使所述芯片、所述引線以及與所述引線連接的焊盤暴露的空腔,且所述圍壩結構層的高度高于所述引線的高度;以及在所述空腔內形成保護層。
優選地,該方法還包括:在所述基板上放置所述圍壩結構層之前,在所述圍壩結構層的下表面涂敷表面涂料。
優選地,所述保護層由環氧塑封料形成。
優選地,在所述空腔內形成保護層包括:在所述空腔內填充所述環氧塑封料;對所述環氧塑封料執行固化工藝形成所述保護層。
優選地,通過點膠工藝或印刷工藝在所述空腔內填充所述環氧塑封料。
優選地,該方法還包括:去除所述圍壩結構層。
優選地,所述圍壩結構層由假基板形成。
通過上述技術方案,在器件封裝過程中設置了具有使芯片、引線以及與引線連接的焊盤暴露的空腔的圍壩結構層,由此保護層可以在圍壩結構層空腔中形成以實現對芯片、引線以及與引線連接的焊盤的保護,避免了大型模塑設備的使用和復雜的模塑腔體的設計,簡化了制作工藝,節約了制作成本。并且,由于保護層僅在圍壩結構層的空腔內形成(即,不需要覆蓋整個基板表面),所以形成保護層所需的時間較短,同時可以節省材料和減輕器件重量。此外,通過設置圍壩結構層,還可以降低/控制器件的整體高度。
本發明的其他特征和優點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





