[發(fā)明專利]一種封裝結構及封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811628848.3 | 申請日: | 2014-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN109801846A | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 譚琳;王謙;蔡堅;陳瑜 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰濱;王曉曉 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝結構 基板 封裝 芯片 結構層 空腔 圍壩 芯片電連接 模塑材料 引線連接 保護層 模塑腔 焊盤 貼裝 消耗 暴露 覆蓋 | ||
1.一種封裝結構,其中,該封裝結構包括:
基板;
若干個芯片,貼裝在所述基板上;
引線,用于將所述基板與所述芯片電連接;
圍壩結構層,放置在所述基板上,具有使所述芯片、所述引線以及與所述引線連接的焊盤暴露的空腔,且所述圍壩結構層的高度高于所述引線的高度,其中所述圍壩結構層的下表面涂敷有表面涂料,所述圍壩占據基板上除所述空腔外的其余全部空間;以及
保護層,通過點膠工藝或印刷工藝填充在所述空腔內,該保護層的形狀與所述空腔的形狀相匹配,用于覆蓋所述芯片和所述引線;
所述圍壩結構層與所述基板具有一致的熱膨脹系數;
所述封裝結構為由如下工藝形成:
通過植球工藝在所述基板的下表面形成焊球陣列;以及
通過切割工藝對所述基板進行切割,以針對若干個所述芯片中的每一個形成一封裝結構;
保留或去除所述圍壩結構層。
2.根據權利要求1所述的封裝結構,其中,所述保護層由環(huán)氧塑封料形成。
3.根據權利要求1所述的封裝結構,其中,所述圍壩結構層由假基板形成。
4.一種封裝方法,其中,該方法包括:
提供基板;
在所述基板上貼裝若干個芯片;
對于若干個所述芯片中的每一個,執(zhí)行步驟包括:
使用引線鍵合工藝通過引線將所述基板與所述芯片電連接;
在所述基板上放置圍壩結構層,所述圍壩結構層具有使所述芯片、所述引線以及與所述引線連接的焊盤暴露的空腔,且所述圍壩結構層的高度高于所述引線的高度,所述圍壩占據基板上除所述空腔外的其余全部空間;以及
通過點膠工藝或印刷工藝在所述空腔內填充所述保護層,該保護層的形狀與所述空腔的形狀相匹配,
其中在所述基板上放置所述圍壩結構層之前,在所述圍壩結構層的下表面涂敷表面涂料;所述圍壩結構層采用與所述基板具有一致的熱膨脹系數的材料;
通過植球工藝在所述基板的下表面形成焊球陣列;以及
通過切割工藝對所述基板進行切割,以針對若干個所述芯片中的每一個形成一封裝結構;
保留或去除所述圍壩結構層。
5.根據權利要求4所述的封裝方法,其中,所述保護層由環(huán)氧塑封料形成。
6.根據權利要求5所述的封裝方法,其中,在所述空腔內形成保護層包括:
在所述空腔內填充所述環(huán)氧塑封料;
對所述環(huán)氧塑封料執(zhí)行固化工藝形成所述保護層。
7.根據權利要求4所述的封裝方法,其中,所述圍壩結構層由假基板形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





