[發(fā)明專利]一種晶圓覆膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811627416.0
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109659269B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設計）人: 黃曉波;趙凡奎
• 申請（專利權）人: 安徽龍芯微科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 重慶強大凱創(chuàng)專利代理事務所(普通合伙) 50217
• 代理人: 成艷

本發(fā)明涉及電器元件制作技術領域，具體為一種晶圓覆膜裝置，包括底箱，底箱側壁上設置有送料孔，底箱上設置有用于放置晶圓的放置槽，放置槽外與其同心設置有環(huán)形的切割孔，底箱一側鉸接有蓋體，還包括包邊機構，蓋體上豎直滑動設置有圓筒形的切刀，切刀能夠驅動包邊機構，切刀與蓋體之間設置有切割彈簧，蓋體內側設置有圓柱形的壓柱。本發(fā)明解決了現有技術中切割薄膜時，外圍的薄膜會受到旋向的作用力而發(fā)生形變和褶皺，且需要人工將外圍的薄膜包覆在晶圓上效率不高的問題。

技術領域

本發(fā)明涉及電器元件制作技術領域，具體為一種晶圓覆膜裝置。

背景技術

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的IC產品。

晶圓是由普通硅砂拉制提煉，經過溶解、提純、蒸餾一系列措施制成單晶硅棒，單晶硅棒經過拋光、切片之后，就成為了晶圓。晶圓制作完成后需要在其表面覆膜，以保護晶圓，避免晶圓磨損。

傳統(tǒng)的晶圓切割通常是人工操作，將薄膜覆蓋在晶圓上，工人握持切刀沿著晶圓周邊轉動一圈從而實現薄膜的切割，最后將薄膜壓緊在晶圓上即可。此種方式不僅效率低下，且切刀沿著晶圓周邊轉動，切割的過程中極易對晶圓的邊緣造成磨損，影響晶圓的質量。

為了解決上述問題，現有技術中通常采用如圖1所示的覆膜機給晶圓覆膜，該覆膜機包括底箱6，底箱6上設置有用于放置晶圓的放置槽4，放置槽4外設置有環(huán)形的切割孔5，底箱6一側鉸接有蓋體1，蓋體1上轉動設置有切刀2。通過將晶圓放置在放置孔中，從底箱6上的送料孔3中將薄膜拉出并覆蓋在晶圓上，然后蓋上蓋體1，驅動切刀2沿著切割孔5轉動即可實現薄膜的切割。圖1中切割孔5的直徑大于晶圓的直徑，切割時切刀2不會對晶圓的邊緣造成磨損。

但是，由于切割時預留了晶圓外圍的薄膜，故上述方式切割后需要人工將外圍的薄膜包覆在晶圓上，才能完成整個晶圓的覆膜，效率依然不高。此外，上述方式在切割完成后打開蓋體1時，外圍的薄膜由于沒有貼附在晶圓上，極易導致薄膜被掀起，從而影響貼膜的質量。再者，切割時外圍的薄膜沒有被壓緊而處于自由狀態(tài)，切刀2轉動時會給這部分薄膜施加一個旋向的作用力，從而導致薄膜被拉扯發(fā)生形變和褶皺，影響晶圓貼膜的質量。

發(fā)明內容

本發(fā)明意在提供一種晶圓覆膜裝置，以解決現有技術中切割薄膜時，外圍的薄膜會受到旋向的作用力而發(fā)生形變和褶皺，且需要人工將外圍的薄膜包覆在晶圓上效率不高的問題。

為了達到上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：

一種晶圓覆膜裝置，包括底箱，底箱側壁上設置有送料孔，底箱上設置有用于放置晶圓的放置槽，放置槽外與其同心設置有環(huán)形的切割孔，底箱一側鉸接有蓋體，還包括包邊機構，蓋體上豎直滑動設置有圓筒形的切刀，切刀能夠驅動包邊機構，切刀與蓋體之間設置有切割彈簧，蓋體內側設置有圓柱形的壓柱。

本發(fā)明的原理和有益效果為：

放置槽用于放置晶圓，送料孔用于供薄膜穿過，蓋體用于安裝切刀，壓柱用于將薄膜壓緊在晶圓上。通過將晶圓置于放置孔中，蓋上蓋體，向下按壓切刀使得切刀從切割孔中穿過，即可實現薄膜的切割，切割彈簧用于驅動切刀復位。本發(fā)明采用圓筒形的切刀，通過向下按壓切刀實現薄膜的切割，一改現有技術中轉動切刀切割的方式，避免了薄膜在切割的過程中受到來自切刀旋向的作用力而發(fā)生形變和褶皺。切刀切割薄膜的同時能夠驅動包邊機構運作，包邊機構用于將外圍薄膜包覆在晶圓上，避免打開蓋體時外圍薄膜被掀起而影響晶圓覆膜的質量。利用切刀驅動包邊機構，與額外使用動力驅動包邊機構相比，節(jié)約了動力資源。

進一步，包邊機構包括設置在放置槽槽底的吸氣孔，吸氣孔連通有吸氣通道，吸氣通道設置在底箱內，吸氣通道連通有吸氣機構。吸氣孔用于將吸氣通道與放置槽連通，吸氣機構用于把晶圓和外圍薄膜之間的氣體吸附至吸氣通道內，從而使得外圍薄膜包覆在晶圓的側壁上。