[發(fā)明專利]顯示面板及顯示模組、電子裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811627052.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109585520A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范英春;張曉星 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示面板 存儲(chǔ)電容 發(fā)光器件 陣列基板 電子裝置 透明材料 顯示模組 基板 薄膜晶體管單元 存儲(chǔ)電容區(qū) 膜層結(jié)構(gòu) 顯示效果 正投影面 開口率 重合 申請(qǐng) 制作 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板,包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶體管單元和存儲(chǔ)電容;
位于所述陣列基板上的發(fā)光器件層;
所述存儲(chǔ)電容在所述發(fā)光器件層上正投影面與所述發(fā)光器件層部分重合;
其中,所述存儲(chǔ)電容內(nèi)的膜層結(jié)構(gòu)由透明材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述存儲(chǔ)電容包括位于所述基板上的第一電極、位于所述第一電極上的多層絕緣層、位于所述多層絕緣層上的第四電極;
其中,所述第一電極、所述第四電極、及所述多層絕緣層由透明材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一電極與所述薄膜晶體管單元中的遮光層同層設(shè)置;
所述第四電極與所述薄膜晶體管單元中的源漏極同層設(shè)置;
所述第四電極與所述薄膜晶體管單元的所述源漏極電連接;
所述第一電極、所述第四電極形成所述顯示面板的所述存儲(chǔ)電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括第一過孔;
所述第一過孔位于所述第四電極上;
所述發(fā)光器件層中的陽極層通過所述第一過孔與所述第四電極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括第一過孔;
所述第一過孔位于所述源漏極上;
所述發(fā)光器件層中的陽極層通過所述第一過孔與所述源漏極電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述存儲(chǔ)電容包括位于所述基板上的第一電極、位于所述第一電極上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二電極、位于所述第二電極上的第三絕緣層、及位于所述第三絕緣層上的第四電極;
其中,所述第一電極、所述第二電極、所述第四電極、所述第一絕緣層、及第三絕緣層由透明材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一電極與所述薄膜晶體管單元中的遮光層同層設(shè)置;
所述第二電極與所述薄膜晶體管單元中的有源層同層設(shè)置;
所述第四電極與所述薄膜晶體管單元中的源漏極同層設(shè)置;
所述第四電極與所述薄膜晶體管單元的所述源漏極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一電極與所述薄膜晶體管單元中的遮光層同層設(shè)置;
所述第二電極與所述薄膜晶體管單元中的柵極同層設(shè)置;
所述第四電極與所述薄膜晶體管單元中的源漏極同層設(shè)置;
所述第四電極與所述薄膜晶體管單元的所述源漏極電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一電極、所述第二電極形成所述顯示面板的第一電容,
所述第二電極、所述第四電極形成所述顯示面板的第二電容。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述存儲(chǔ)電容包括位于所述基板上的第一電極、位于所述第一電極上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二電極、位于所述第二電極上的第二絕緣層、及位于所述第二絕緣層上的第三電極、位于所述第三電極上的第三絕緣層、及位于所述第三絕緣層上的第四電極;
其中,所述第一電極、所述第二電極、第三電極、所述第四電極、第一絕緣層、第二絕緣層、及第三絕緣層由透明材料制成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





