[發明專利]顯示面板及顯示模組、電子裝置在審
| 申請號: | 201811627052.6 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109585520A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 范英春;張曉星 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示面板 存儲電容 發光器件 陣列基板 電子裝置 透明材料 顯示模組 基板 薄膜晶體管單元 存儲電容區 膜層結構 顯示效果 正投影面 開口率 重合 申請 制作 | ||
本申請提出了一種顯示面板及顯示模組、電子裝置,所述顯示面板包括陣列基板,包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶體管單元和存儲電容;位于所述陣列基板上的發光器件層;所述存儲電容在所述發光器件層上正投影面與所述發光器件層部分重合;所述存儲電容內的膜層結構由透明材料制成。本申請通過利用透明材料制作陣列基板的存儲電容區,并在所述存儲電容上設置發光器件層,增加了顯示面板的開口率,提高了顯示面板的顯示效果。
技術領域
本申請涉及顯示領域,特別涉及一種顯示面板及顯示模組、電子裝置。
背景技術
在平板顯示技術中,有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器具有輕薄、主動發光、響應速度快、可視角大、色域寬、亮度高和功耗低等眾多優點,逐漸成為繼液晶顯示器后的第三代顯示技術。
隨著顯示面板的發展,對于底發光型OLED顯示面板,陣列基板中的開關單元、薄膜晶體管單元及存儲電容的存在,導致像素單元中開口率的限制,滿足不了目前高分辨率顯示面板的需求。
因此,目前亟需一種顯示面板以解決上述問題。
發明內容
本申請提供一種顯示面板及顯示模組、電子裝置,以解決現有顯示面板開口率較低的技術問題。
為解決上述問題,本申請提供的技術方案如下:
本申請提供了一種顯示面板,其包括:
陣列基板,包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶體管單元和存儲電容;
位于所述陣列基板上的發光器件層;
所述存儲電容在所述發光器件層上正投影面與所述發光器件層部分重合;
其中,所述存儲電容內的膜層結構由透明材料制成。
在本申請的顯示面板中,
所述存儲電容包括位于所述基板上的第一電極、位于所述第一電極上的多層絕緣層、位于所述多層絕緣層上的第四電極;
其中,所述第一電極、所述第四電極、及所述多層絕緣層由透明材料制成。
在本申請的顯示面板中,
所述第一電極與所述薄膜晶體管單元中的遮光層同層設置;
所述第四電極與所述薄膜晶體管單元中的源漏極同層設置;
所述第四電極與所述薄膜晶體管單元的所述源漏極電連接;
所述第一電極、所述第四電極形成所述顯示面板的所述存儲電容。
在本申請的顯示面板中,
所述顯示面板還包括第一過孔;
所述第一過孔位于所述第四電極上;
所述發光器件層中的陽極層通過所述第一過孔與所述第四電極電連接。
在本申請的顯示面板中,
所述顯示面板還包括第一過孔;
所述第一過孔位于所述源漏極上;
所述發光器件層中的陽極層通過所述第一過孔與所述源漏極電連接。
在本申請的顯示面板中,
所述存儲電容包括位于所述基板上的第一電極、位于所述第一電極上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二電極、位于所述第二電極上的第三絕緣層、及位于所述第三絕緣層上的第四電極;
其中,所述第一電極、所述第二電極、所述第四電極、所述第一絕緣層、及第三絕緣層由透明材料制成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811627052.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種顯示面板和顯示裝置
- 下一篇:一種顯示面板及顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





