[發明專利]發光二極管的外延片生長裝置有效
| 申請號: | 201811625806.4 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109536931B | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 王國行;劉華明;胡加輝;李鵬 | 申請(專利權)人: | 華燦光電(浙江)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 外延 生長 裝置 | ||
1.一種發光二極管的外延片生長裝置,其特征在于,包括氣源(10)、真空發生器(20)、反應室(30)、開關閥(40)、排氣閥(50)和控制器(60),所述開關閥(40)和所述排氣閥(50)均為氣動閥,且均采用所述氣源(10)為驅動動力,所述氣源(10)與所述開關閥(40)的進氣口連通,所述開關閥(40)的出氣口與所述真空發生器(20)的進氣口連通,所述真空發生器(20)的抽氣口與所述排氣閥(50)的出氣口連通,所述排氣閥(50)的進氣口與所述反應室(30)連通,所述控制器(60)與所述開關閥(40)和所述排氣閥(50)連通;
所述控制器(60)用于當所述反應室(30)內的壓力上升到第一預設閾值時控制所述開關閥(40)導通,在所述開關閥(40)導通0.1s~1s后控制所述排氣閥(50)導通;
當所述反應室(30)內的壓力下降到第二預設閾值時,控制所述排氣閥(50)關閉,在所述排氣閥(50)關閉0.1s~1s后控制所述開關閥(40)關閉,所述第二預設閾值小于所述第一預設閾值。
2.根據權利要求1所述的生長裝置,其特征在于,所述反應室(30)連通有第一壓力表(70)。
3.根據權利要求1所述的生長裝置,其特征在于,所述氣源(10)與所述開關閥(40)之間連接有第二壓力表(80)。
4.根據權利要求1所述的生長裝置,其特征在于,所述生長裝置還包括廢氣回收罐(90),所述廢氣回收罐(90)與所述真空發生器(20)的出氣口連通。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





