[發明專利]一種多層背電極、薄膜太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201811624601.4 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109768094A | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發明(設計)人: | 李新連;郭邐達;楊立紅 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陳超 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣壓 鉬層 背電極膜層 鍍制 表面鍍 背電極 多層 制備 薄膜太陽能電池 表面粗糙度 光吸收效率 耐高溫性能 界面差異 氣壓保持 反射率 高氣壓 鉬薄膜 基底 陷光 升高 引入 優化 | ||
本發明公開了一種多層背電極的制備方法,包括:在基底的一側表面鍍制第一鉬層,鍍制過程中控制氣壓由第一氣壓值連續下降至第二氣壓值;在第一鉬層的表面鍍制第二鉬層,鍍制過程中控制氣壓保持在第二氣壓值;在第二鉬層的表面鍍制第三鉬層,鍍制過程中控制氣壓由第二氣壓值連續升高至第三氣壓值。本發明通過在鍍制背電極膜層即鉬薄膜的不同階段,使用不同的氣壓,通過控制氣壓連續變化,優化了背電極膜層的結構,降低了背電極膜層的應力,同時減少了背電極膜層的界面差異,提高了耐高溫性能;通過引入高氣壓的第三鉬層,提高了背電極膜層的表面粗糙度,降低了反射率,實現了表面陷光效應,提高了光吸收效率。
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,尤其涉及一種多層背電極、薄膜太陽能電池及其制備方法。
背景技術
一般地,具有高轉換效率的CIGS薄膜電池通常選用普通鈉鈣玻璃或柔性材料作為基底,用磁控濺射法在其上沉積一層Mo薄膜作為背電極層。大量研究結果表明,磁控濺射制備Mo薄膜時,濺射氣壓極大地影響了薄膜的性質,通常,在高氣壓下制備的薄膜疏松多孔,電阻率較高但附著力優異,同時薄膜呈張應力;而在低氣壓下制備的薄膜致密,導電性好但附著力較差,通常呈壓縮應力。
現有技術中通常采用“高氣壓/低氣壓”的雙層背電極結構,但是,該雙層結構的背電極結構存在如下缺陷:
1、因低氣壓鉬層較厚(>300nm),通常會在背電極膜層中引入較大的殘余應力。
2、在鍍制吸收層的高溫環境中,背電極膜層將受到熱應力作用,導致背電極膜層出現孔洞或開裂等缺陷。
發明內容
(一)發明目的
本發明的目的是提供一種多層背電極、薄膜太陽能電池及其制備方法,該多層背電極的制備方法通過在鍍制背電極膜層的不同階段,使用不同的氣壓,通過控制氣壓連續變化,優化了背電極膜層的結構,降低了背電極膜層的應力;同時,在第一鉬層和第三鉬層的鍍制過程中,控制氣壓連續變化,減少了第一鉬層、第三鉬層與第二鉬層之間的界面差異,提高了背電極膜層的耐高溫性能;采用該多層背電極的制備方法制備的背電極膜層,其中第三鉬層為高氣壓層,通過引入高氣壓的第三鉬層作為表面層,提高了背電極膜層的表面粗糙度,降低了反射率,實現了表面陷光效應,提高了光吸收效率。
(二)技術方案
為解決上述問題,本發明的第一方面提供了一種多層背電極的制備方法,包括:在基底的一側表面鍍制第一鉬層,鍍制過程中控制氣壓由第一氣壓值連續下降至第二氣壓值;在所述第一鉬層的表面鍍制第二鉬層,鍍制過程中控制氣壓保持在第二氣壓值;在所述第二鉬層的表面鍍制第三鉬層,鍍制過程中控制氣壓由第二氣壓值連續升高至第三氣壓值。
進一步,所述第一氣壓值的范圍為1.0-3.0Pa;和/或所述第二氣壓值的范圍為0.05-0.5Pa;和/或所述第三氣壓值的范圍為0.5-3.0Pa。
進一步,所述第一鉬層的厚度范圍為10-300nm;和/或所述第二鉬層的厚度范圍為100-500nm;和/或所述第三鉬層的厚度范圍為0-200nm。
進一步,所述第一鉬層、所述第二鉬層和所述第三鉬層采用磁控濺射法鍍制
進一步,所述在基底的一側表面鍍制第一鉬層的步驟之前,還包括:清洗所述基底;控制本底真空度至低于預設真空度;對所述基底進行加熱烘烤,去除水汽。
進一步,所述預設真空度為5.0E-4Pa。
根據本發明的另一個方面,提供一種多層背電極,采用上述所述的制備方法制備得到,包括:依次層疊設置的第一鉬層、第二鉬層和第三鉬層。
進一步,所述第一鉬層的厚度范圍為10-300nm;和/或所述第二鉬層的厚度范圍為100-500nm;和/或所述第三鉬層的厚度范圍為0-200nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





