[發明專利]晶圓用覆膜裝置有效
| 申請號: | 201811624489.4 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109727904B | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 黃曉波;羅云紅 | 申請(專利權)人: | 安徽龍芯微科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙) 50217 | 代理人: | 成艷 |
| 地址: | 243000 安徽省馬*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓用覆膜 裝置 | ||
本發明涉及芯片加工領域,具體公開了晶圓用覆膜裝置,包括覆膜底座,覆膜底座上設有用于固定待覆膜晶圓的固定槽,固定槽的外圍設有一圈與固定槽同心設置的環形槽;覆膜底座的上方設有覆膜機構,覆膜機構包括中部的伸縮套筒,伸縮套筒的頂部設有水囊,伸縮套筒的底部設有滴水孔,伸縮套筒上鉸接有多個可沿晶圓中部徑向滑動的擠壓組件,擠壓組件與伸縮套筒之間活動連接有限位驅動件。本發明解決了現有技術中對晶圓貼膜過程中存在的容易出現氣泡的問題。
技術領域
本發明涉及芯片加工領域,具體涉及晶圓用覆膜裝置。
背景技術
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。在晶圓上可加工制作成各種電路元件結構,通常將晶圓電路面,即完成芯片功能的那一面稱為正面,另外一面即為背面。在晶圓加工過程中,通常要經過切割過程,在晶圓切割前,為了在切割晶圓時保護晶圓通常會在晶圓的背面貼附一層薄膜,即貼附切割膜。傳統的貼膜工藝,薄膜成卷地設置,薄膜卷旋轉后不斷放出薄膜,薄膜的面積大于晶圓的面積。將薄膜貼附在晶圓表面后,手持或者利用機械手夾持刀片沿晶圓的邊緣切割薄膜,將超出晶圓的多余薄膜切除,從而完成在晶圓表面貼膜的工藝。
但是上述的貼膜過程中,由于貼膜操作人員施力大小的不同,時常會造成晶圓與薄膜之間存在氣泡。當晶圓表面出現氣泡后則需要將已貼的薄膜去除,再進行二次貼膜,不僅浪費原料而且降低了貼膜的效率。
發明內容
本發明意在提供晶圓用覆膜裝置,以解決現有技術中對晶圓貼膜過程中存在的容易出現氣泡的問題。
為達到上述目的,本發明的技術方案如下:晶圓用覆膜裝置,包括覆膜底座,覆膜底座上設有用于固定待覆膜晶圓的固定槽,固定槽的外圍設有一圈與固定槽同心設置的環形槽;覆膜底座的上方設有覆膜機構,覆膜機構包括中部的伸縮套筒,伸縮套筒的頂部設有水囊,伸縮套筒的底部設有滴水孔,伸縮套筒上鉸接有多個可沿晶圓中部徑向滑動的擠壓組件,擠壓組件與伸縮套筒之間活動連接有限位驅動件。
本技術方案的原理及有益效果在于:本技術方案中覆膜底座起到整體支撐的作用,覆膜底座內的固定槽用于對待覆膜的晶圓進行容納和固定;在晶圓覆膜前,水囊內的水會沿滴水孔滴到晶圓上,而后將薄膜貼附到滴了水滴的晶圓上,覆膜組件用于對覆膜后的晶圓進行擠壓,使得薄膜與晶圓緊密貼合。伸縮套筒在薄膜貼附后,由于伸縮套筒位于中部,伸縮套筒在下壓薄膜的過程中會首先擠壓晶圓的中心,使得晶圓中心處的水滴向外圍擴散,擠壓組件用于對覆膜后的晶圓進行進一步的擠壓,繼續將水滴向晶圓外緣擠壓推進,最終將水排出,在水排出的過程中,水移動過程中會吸納晶圓覆膜時產生的氣泡,使氣泡被排出,避免了現有技術中對晶圓貼膜過程中存在的容易出現氣泡的問題。限位驅動件用于限定擠壓組件沿晶圓滑動的行程,可實現自動確定擠壓排除氣泡和水的結束點。
進一步,還包括機架,伸縮套筒包括轉動連接在機架上的第一套筒,第一套筒內滑動連接有第二套筒,第二套筒的底部固接有密封板,密封板的底端中部設有彈性塊,密封板與第一套筒之間固接有支撐彈簧。
機架起到支撐的作用,支撐彈簧在伸縮套筒未下壓晶圓時起到支撐第一套筒和第二套筒的作用;當伸縮套筒下壓晶圓時,第二套筒接觸覆膜的晶圓的表面后,第二套筒會相對第一套筒向靠近第一套筒的一側滑動,使得伸縮套筒的長度減小,密封板中部的彈性塊用于對晶圓上滴水的位置進行精確的擠壓,且由于彈性塊具有彈性,彈性塊還具有一定的緩沖作用,避免晶圓的損壞。
進一步,擠壓組件包括多個鉸接在第一套筒外壁的擠壓桿,擠壓桿的底端均活動連接有擠壓塊,擠壓塊內均設有開口槽,開口槽內均設有電動伸縮桿,電動伸縮桿的端部固接有切割刀。
當伸縮套筒下壓覆膜的晶圓后而使伸縮套筒長度減小時,鉸接在第一套筒外壁的擠壓桿會在限位驅動件的限制下沿晶圓的中部向晶圓外緣徑向滑動,當擠壓桿端部的擠壓塊滑動到與晶圓脫離并位于環形槽內時,電動伸縮桿伸長,使得切割刀伸出開口槽,對多余的薄膜進行切割,實現了晶圓覆膜后自動切割修邊的過程。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





