[發明專利]封裝結構及組件連接的方法

在審

• 申請號: 201811624380.0
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN110164782A
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 林育民;張道智;駱韋仲
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種封裝結構，其特征在于，包括：

第一基底，包含第一線路與至少一第一接點，其中所述至少一第一接點電連接至所述第一線路；

第二基底，包含第二線路與至少一第二接點，其中所述至少一第二接點電連接至所述第二線路，所述至少一第一接點與所述至少一第二接點彼此部分物理性接觸或彼此部分化學性界面反應接觸；以及

至少一第三接點，包圍所述至少一第一接點與所述至少一第二接點；

其中所述第一基底至少通過所述至少一第一接點與所述至少一第二接點電連接至所述第二基底。

2.如權利要求1所述的封裝結構，所述至少一第一接點與所述至少一第二接點之間配置有所述至少一第三接點。

3.如權利要求1所述的封裝結構，還包括所述至少一第一接點與所述至少一第二接點接觸后形成的介金屬化合物或合金固溶體。

4.如權利要求1所述的封裝結構，還包括配置于所述第一基底與所述第二基底之間的封填物。

5.如權利要求1所述的封裝結構，其中所述第一基底包括存儲器芯片或邏輯芯片。

6.如權利要求1所述的封裝結構，其中所述第二基底包括傳感器芯片。

7.如權利要求1所述的封裝結構，其中所述第三接點的材料包括鎳、錫、金、銅、銀或其組合。

8.一種封裝結構，其特征在于，包括：

第一基底，包含第一線路與至少一第一接點，其中所述至少一第一接點電連接至所述第一線路；

第二基底，包含第二線路與至少一第二接點，其中所述至少一第二接點電連接至所述第二線路；以及

第三接點，位于所述第一接點與所述第二接點之間；以及

第四接點，位于所述第一基底與所述第二基底之間，

其中所述第三接點至少部分物理性接觸所述第一接點以及所述第二接點，

所述第四接點包圍所述第一接點、所述第二接點與所述第三接點并且物理性接觸所述第一接點、所述第二接點與所述第三接點，且

所述第一基底至少通過所述第一接點、所述第二接點與所述第三接點與所述第二基底電連接。

9.如權利要求8所述的封裝結構，其中所述第三接點是由低溫接合金屬所構成。

10.如權利要求9所述的封裝結構，其中所述低溫接合金屬包括雙晶銅、雙晶銀、銦錫合金、錫鉍合金、多孔金或其組合。

11.如權利要求8所述的封裝結構，還包括配置于所述第一基底與所述第二基底之間的封填物。

12.一種組件連接的方法，包括：

提供具有至少一第一接點的第一基底與具有至少一第二接點的第二基底；

在所述第一基底的所述至少一第一接點上分別配置低溫接合金屬；

將所述第一基底的所述至少一第一接點與所述第二基底的所述至少一第二接點接觸；

在低于250℃的反應溫度下，熔融所述低溫接合金屬而接合所述至少一第一接點與所述至少一第二接點；以及

鍍覆形成金屬構件分別包覆在所述至少一第一接點與所述至少一第二接點外圍。

13.如權利要求12所述的組件連接的方法，其中在所述至少一第一接點與所述至少一第二接點接觸之前，在所述至少一第二接點上分別配置所述低溫接合金屬。

14.如權利要求12所述的組件連接的方法，還包括在所述第一基底與所述第二基底之間填入封填物。

15.如權利要求12所述的組件連接的方法，其中所述低溫接合金屬包括雙晶銅、雙晶銀、銦錫合金、錫鉍合金、多孔金或其組合。