[發(fā)明專利]一種可區(qū)分不同類型位錯的透射電鏡成像方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811623972.0 | 申請日： | 2018-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN109632849A | 公開（公告）日： | 2019-04-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃俊;牛牧童;蘇旭軍;董曉鳴;徐科 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | G01N23/22 | 分類號： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰;陽志全 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 衍射 標定 傾轉(zhuǎn) 位錯 透射電鏡 矢量 暗場成像 矢量衍射 衍射襯度 衍射譜 探測器 帶軸 成像 電子束 圖像 位錯類型 演變規(guī)律 傳統(tǒng)的 拍攝 入射 觀察 | ||
1.一種可區(qū)分不同類型位錯的透射電鏡成像方法，其特征在于，包括：
在普通透射電鏡模式下，傾轉(zhuǎn)樣品，使電子束沿第一晶帶軸入射，拍攝樣品的衍射譜，并進行第一次標定；
根據(jù)所述第一次標定傾轉(zhuǎn)樣品，使樣品處于第一衍射矢量的雙束衍射狀態(tài)；
將電鏡切換進入暗場成像模式，利用探測器收集所述第一衍射矢量衍射束的衍射襯度圖像；
傾轉(zhuǎn)樣品，使電子束沿第二晶帶軸入射，拍攝樣品的衍射譜，并進行第二次標定，所述第一晶帶軸與所述第二晶帶軸不同；
根據(jù)所述第二次標定傾轉(zhuǎn)樣品，使樣品的待觀察位錯區(qū)域處于第二衍射矢量的雙束衍射狀態(tài)；
將電鏡切換進入暗場成像模式，利用探測器收集所述第二衍射矢量衍射束的衍射襯度圖像；
根據(jù)所述第二次標定傾轉(zhuǎn)樣品，使樣品處于第三衍射矢量的雙束衍射狀態(tài)；
將電鏡切換進入暗場成像模式，利用探測器收集所述第三衍射矢量衍射束的衍射襯度圖像。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可區(qū)分不同類型位錯的透射電鏡成像方法，其特征在于，所述樣品為六方結(jié)構(gòu)的III族氮化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可區(qū)分不同類型位錯的透射電鏡成像方法，其特征在于，所述第一晶帶軸為[11-20]晶向。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可區(qū)分不同類型位錯的透射電鏡成像方法，其特征在于，所述第二晶帶軸為[-5,10,-5,3]晶向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的可區(qū)分不同類型位錯的透射電鏡成像方法，其特征在于，所述第一衍射矢量對應為g＝10-10。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可區(qū)分不同類型位錯的透射電鏡成像方法，其特征在于，所述第二衍射矢量、第三衍射矢量分別對應為g＝1-105和g＝0-115。
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