[發明專利]用于中介片的電容器及其制造方法有效
| 申請號： | 201811623947.2 | 申請日： | 2013-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN110060982B | 公開（公告）日： | 2021-12-28 |
| 發明（設計）人： | 張俊華;鄭心圃;葉德強;侯上勇;邱文智 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 中介 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：
提供襯底；
在所述襯底中形成開口；
在所述開口的表面以及所述襯底的頂面形成襯墊；
形成從所述襯底的表面延伸到所述開口中的通孔，其中所述襯墊位于所述通孔和所述襯底之間；
在所述通孔上方形成第一介電層；
在形成所述第一介電層之后，在所述第一介電層的表面上方形成電容器；
在所述電容器上方形成一個或多個金屬層，所述電容器位于最下方的金屬層的下方；
在所述襯底和所述電容器的上方形成第二介電層；以及
在所述第二介電層中形成多個導電部件，所述多個導電部件中的第一導電部件穿過所述第一介電層延伸至所述通孔，
其中，在所述襯墊的表面上方形成所述電容器包括：
在所述襯墊上方依次形成底部電極材料層、電容器介電材料層和頂部電極材料層；
使用對應于底部電極的形狀的第一掩模來圖案化所述底部電極材料層，以形成所述底部電極；以及
使用對應于頂部電極和電容器介電層的形狀的第二掩模來圖案化所述電容器介電材料層和所述頂部電極材料層，以形成所述頂部電極和所述電容器介電層，
其中，所述底部電極延伸到所述頂部電極和所述電容器介電層的橫向邊界之外，
其中，所述多個導電部件中的未與所述通孔對應的第二導電部件從所述最下方的金屬層在所述頂部電極和所述電容器介電層的兩側延伸橫跨所述頂部電極和所述電容器介電層并且穿過所述第二介電層至所述底部電極。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述電容器是金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述最下方的金屬層是第一金屬(M1)層。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底包括硅中介片。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述電容器是平面電容器。
6.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：
提供襯底；
在所述襯底中形成開口；
在所述開口的表面以及所述襯底的頂面形成襯墊；
形成從所述襯底的表面延伸到所述開口中的通孔，其中所述襯墊位于所述通孔和所述襯底之間；
在所述通孔上方形成第一介電層；
在形成所述第一介電層之后，在所述第一介電層的表面上方形成電容器，所述電容器具有頂部電極和底部電極；
在所述襯底和所述電容器的上方形成第二介電層；以及
在所述第二介電層中形成多個導電部件，所述多個導電部件中的對應導電部件延伸穿過所述第二介電層到達所述底部電極、所述頂部電極和所述通孔，并且其中，所述多個導電部件中與所述通孔對應的導電部件穿過所述第一介電層延伸至所述通孔，
其中，在所述襯墊的表面上方形成所述電容器包括：
在所述襯墊上方依次形成底部電極材料層、電容器介電材料層和頂部電極材料層；
使用對應于底部電極的形狀的第一掩模來圖案化所述底部電極材料層，以形成所述底部電極；以及
使用對應于頂部電極和電容器介電層的形狀的第二掩模來圖案化所述電容器介電材料層和所述頂部電極材料層，以形成所述頂部電極和所述電容器介電層，
其中，所述底部電極延伸到所述頂部電極和所述電容器介電層的橫向邊界之外，
其中，所述多個導電部件的未與所述通孔對應的一些導電部件從所述電容器上方的金屬層在所述頂部電極和所述電容器介電層的兩側延伸橫跨所述頂部電極和所述電容器介電層并且穿過所述第二介電層至所述底部電極。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述襯底是中介片。
8.根據權利要求6所述的方法，其中，在形成所述電容器的所述底部電極之前，執行形成所述通孔的步驟。
9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述電容器是平面電容器。
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