[發明專利]用于中介片的電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 201811623947.2
• 申請日: 2013-04-18
• 公開（公告）號: CN110060982B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 張俊華;鄭心圃;葉德強;侯上勇;邱文智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L23/498
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

公開了設計用于諸如中介片的襯底的電容器及其制造方法。在一個實施例中，在通孔和底層金屬層之間形成電容器。例如，電容器可以是形成在襯底上或襯底上方形成的介電層上的平面電容器。

本申請是于2013年04月18日提交的申請號為201310136290.8的名稱為“用于中介片的電容器及其制造方法”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明總的來說涉及半導體領域，更具體地，涉及用于中介片的電容器及其制造方法。

背景技術

半導體器件被用于各種電子應用，諸如作為實例的個人計算機、手機、數碼相機和其他電子設備。半導體工業通過持續縮小最小部件尺寸來不斷地提高多種電子部件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這使得更多的部件被集成到給定區域內。在一些應用中，這些更小的電子部件還需要更小的封裝，其與過去的封裝相比使用更少的面積。已經開發的一種小型封裝是三維(3D)IC，其中，兩個管芯或IC結合在一起，并且在管芯和中介片上的接觸焊盤之間形成電連接。

在這些情況下，電源和信號線可以從中介片一側上的連接到中介片的相對側上的管芯或其他電連接穿過中介片。中介片還可以包括無源部件，例如去耦電容器。來自電源的電流流過電源線、邏輯門并最終接地。在邏輯門的切換期間，在短時間內可能發生電流的大量改變。去耦電容器用來吸收電流切換期間的這些假信號。去耦電容器通過維持電源和地之間恒定電壓來用作電荷庫，從而防止所提供電壓的瞬時下降。

發明內容

根據本發明的第一方面，提供了一種形成器件的方法，包括：提供襯底；在襯底的表面上方形成電容器；以及在電容器上方形成一個或多個金屬層，電容器位于最下方的金屬層的下方。

優選地，電容器是金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。

優選地，該方法還包括：形成從襯底的表面延伸到襯底中的通孔。

優選地，該方法還包括：在形成電容器之前，在通孔上方形成介電層。

優選地，襯底包括硅中介片。

優選地，電容器是平面電容器。

根據本發明的第二方面，提供了一種形成器件的方法，包括：提供襯底；形成從襯底的表面延伸到襯底中的通孔；在襯底的表面上方形成電容器，電容器具有頂部電極和底部電極；在襯底和電容器的上方形成第一介電層；以及在第一介電層中形成多個導電部件，多個導電部件中的對應導電部件延伸穿過介電層到達底部電極、頂部電極和通孔。

優選地，襯底是中介片。

優選地，在形成電容器的底部電極之前，執行形成通孔的步驟。

優選地，電容器是平面電容器。

優選地，該方法還包括：在通孔上方形成第二介電層，以及形成電容器包括在第二介電層上形成電容器。

根據本發明的又一方面，提供了一種器件，包括：襯底；最下方的金屬層，上覆襯底；以及電容器，設置在襯底和最下方的金屬層之間。

優選地，襯底是中介片。

優選地，該器件還包括從襯底的第一表面延伸到襯底中的通孔。

優選地，通孔的上表面低于電容器的下表面。

優選地，電容器包括金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。

優選地，該器件還包括夾置在電容器的底部電極和襯底之間的一個或多個介電層。

優選地，電容器是平面電容器。

優選地，電容器的底部電極橫向延伸到電容器的頂部電極之外。