[發明專利]一種Wettable Flank封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201811623927.5
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109801906A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 周海鋒;張江華;沈錦新
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/495;H01L23/498
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 趙海波;孫燕波

本發明涉及一種Wettable Flank封裝結構及其制備方法，所述封裝結構包括引線框架(1)，所述引線框架(1)包括基島(11)和引腳(12)，所述基島(11)上通過膠片膠(2)設置有芯片(3)，所述芯片(3)外圍區域包封有塑封料(4)，所述塑封料(4)四周通過切割形成第一臺階(5)，所述第一臺階(5)四周通過切割形成第二臺階(6)，所述第二臺階(6)區域的引腳(12)裸露在外，所述基島(11)和引腳(12)裸露在外的表面上設置有保護鍍層(7)。本發明它能夠克服傳統DFN產品引腳面積過小、焊接高度低而產生PCB貼裝焊錫易開裂以及PCB貼裝焊錫后無法檢測確認焊點質量或檢測確認困難的問題。

技術領域

本發明涉及一種Wettable Flank(可潤濕側爬)封裝結構及其制備方法，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

傳統DFN是一種無引腳封裝，呈正方形或矩形，封裝底部中央位置有一個大面積裸露基島用來導熱，圍繞大基島的封裝外圍四周有實現電氣連結的導電引腳。引腳面積較小，并且DFN產品與印刷電路板之間的焊接高度低，當DFN產品與印刷電路板熱膨脹系數不同時，會導致引腳焊錫開裂。

傳統DFN產品引腳在塑封體正下方形成，因此，檢查焊點質量時，采用傳統視覺檢查技術，困難且耗時，需要將PCB傾斜一定的角度才可能進行檢測確認；采用X-ray檢查技術，因焊錫高度低，焊錫量少也需要精度更高的專用設備才能滿足檢查要求。此時，電測試是確定焊接端子電連接性的唯一方法。但是在某些應用中，所有終端的全電測試比較困難或不完整。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種Wettable Flank封裝結構及其制備方法，它能夠克服傳統DFN產品引腳面積過小、焊接高度低而產生PCB貼裝焊錫易開裂以及PCB貼裝焊錫后無法檢測確認焊點質量或檢測確認困難的問題。

本發明解決上述問題所采用的技術方案為：一種Wettable Flank封裝結構，它包括引線框架，所述引線框架包括基島和引腳，所述基島上通過裝片膠設置有芯片，所述芯片外圍區域包封有塑封料，所述塑封料四周通過切割形成第一臺階，所述第一臺階四周通過切割形成第二臺階，所述第二臺階區域的引腳裸露在外，所述基島和引腳裸露在外的表面上設置有保護鍍層。

一種Wettable Flank封裝結構的制備方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取一DFN引線框架，引線框架單顆產品的四周引腳與相鄰產品引腳互連導通，并在DFN引線框架上進行裝片、球焊和包封作業；

步驟二、對引腳區域的塑封體上利用刀片進行第一次切割，形成第一凹槽；

步驟三、在第一凹槽上利用激光進行第二次切割，形成第二凹槽，第二凹槽區域的引腳裸露在外，第二次切割寬度小于第一次切割寬度；

步驟四、將引線框架底部及切割裸露的引腳表面鍍敷一層保護層；

步驟五、從引線框架背面利用刀片進行第第三次切割，第三次切割寬度小于第二次切割寬度，將單顆產品切割分離成型。

優選的，步驟二中第一凹槽處預留包封厚度40～60um。

優選的，步驟四中保護層采用錫、鎳金或鎳鈀金。

一種Wettable Flank封裝結構的制備方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取一DFN引線框架，引線框架單顆產品的四周引腳與相鄰產品引腳互連導通，并在DFN引線框架上進行裝片、球焊和包封作業；

步驟二、對引腳區域的塑封體上利用刀片進行第一次切割，形成第一凹槽；

步驟三、在第一凹槽上利用激光進行第二次切割，第二次切割寬度小于第一次切割寬度，第一凹槽的塑封體形成第一臺階，引腳區域形成第二凹槽，第二凹槽區域的引腳裸露在外；