[發(fā)明專利]一種Wettable Flank封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811623927.5
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109801906A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周海鋒;張江華;沈錦新
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/495;H01L23/498
• 代理公司: 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 趙海波;孫燕波

1.一種Wettable Flank封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括引線框架(1)，所述引線框架(1)包括基島(11)和引腳(12)，所述基島(11)上通過膠片膠(2)設(shè)置有芯片(3)，所述芯片(3)外圍區(qū)域包封有塑封料(4)，所述塑封料(4)四周通過切割形成第一臺階(5)，所述第一臺階(5)四周通過切割形成第二臺階(6)，所述第二臺階(6)區(qū)域的引腳(12)裸露在外，所述基島(11)和引腳(12)裸露在外的表面上設(shè)置有保護(hù)鍍層(7)。

2.一種Wettable Flank封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于所述方法包括以下步驟：

步驟一、取一DFN引線框架，引線框架單顆產(chǎn)品的四周引腳與相鄰產(chǎn)品引腳互連導(dǎo)通，并在DFN引線框架上進(jìn)行裝片、球焊和包封作業(yè)；

步驟二、對引腳區(qū)域的塑封體上利用刀片進(jìn)行第一次切割，形成第一凹槽；

步驟三、在第一凹槽上利用激光進(jìn)行第二次切割，第二次切割寬度小于第一次切割寬度，形成第二凹槽，第二凹槽區(qū)域的引腳裸露在外；

步驟四、將引線框架底部及切割裸露的引腳表面鍍敷一層保護(hù)層；

步驟五、從引線框架背面利用刀片進(jìn)行第三次切割，第三次切割寬度小于第二次切割寬度，將單顆產(chǎn)品切割成型。

3.一種Wettable Flank封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于所述方法包括以下步驟：

步驟一、取一DFN引線框架，引線框架單顆產(chǎn)品的四周引腳與相鄰產(chǎn)品引腳互連導(dǎo)通，并在DFN引線框架上進(jìn)行裝片、球焊和包封作業(yè)；

步驟二、對引腳區(qū)域的塑封體上利用刀片進(jìn)行第一次切割，形成第一凹槽；

步驟三、在第一凹槽上利用激光進(jìn)行第二次切割，第二次切割寬度小于第一次切割寬度，形成第二凹槽，第二凹槽區(qū)域的引腳裸露在外；

步驟四、從引線框架背面利用刀片進(jìn)行第三次切割，第三次切割寬度小于第二次切割寬度，將單顆產(chǎn)品切割分離成型；

步驟五、單顆產(chǎn)品通過化鍍方式將裸露的基島和引腳表面鍍上可焊層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種Wettable Flank封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：步驟二中第一凹槽處預(yù)留包封厚度40～60um。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種Wettable Flank封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：步驟四中保護(hù)層采用錫、鎳金或鎳鈀金。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種Wettable Flank封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：步驟五中保護(hù)層采用錫、鎳金或鎳鈀金。