[發明專利]晶圓研磨方法及其研磨系統

有效

• 申請號: 201811623632.8
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109571232B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 陳光林;鄭秉胄
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B37/34
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;胡影

本發明提供一種晶圓研磨方法及其研磨系統,研磨方法包括以下步驟:將切片后的具有沿特定結晶方向凹槽的晶圓置于加工臺上并對所述晶圓的邊緣進行初次研磨；將初次研磨后的所述晶圓按照所述特定結晶方向對其邊緣進行再次研磨并清洗；將再次研磨和清洗后的所述晶圓置于晶圓載體中并對所述晶圓的表面進行研磨。本發明的晶圓研磨方法，對晶圓的邊緣進行兩次研磨，第二次研磨過程中能夠按照晶圓的特定結晶方向進行研磨，避免晶圓結晶方向的邊緣部位與研磨載體發生碰撞，減少晶圓破裂的發生。

技術領域

本發明涉及晶圓加工制造技術領域,更具體地，涉及一種晶圓研磨方法和晶圓研磨系統。

背景技術

硅晶圓是一種廣為使用的制造半導體元件的材料。硅晶圓是使硅表面上生長同種的硅的晶圓。晶圓因使半導體集成化的區域的純度及結晶特性優秀且利于提高半導體部件的收率及元件特性而被廣為使用。

通常，晶圓制造工程大體可以分為切片、邊緣研磨、研磨、腐蝕性蝕刻、雙面研磨、雙面拋光、邊緣拋光、最終拋光等工程。

在切片工程中，通常利用線鋸等將采用直拉法或其他方法生長的圓柱形的硅單晶錠切割為薄的晶圓形態。被切割的晶圓的表面和外周面形成得不夠均勻，呈不規則狀態。因此，需要研磨晶圓外周面以將晶圓的整體形狀制作為具有預定直徑的圓形狀。但是晶圓的邊緣面研磨加工過程中，晶圓邊緣容易與研磨載體發生碰撞，導致晶圓破裂。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種晶圓研磨方法，能夠按照晶圓的特定結晶方向進行研磨，避免晶圓特定結晶方向的邊緣部位與研磨載體發生碰撞，減少晶圓破裂的發生。

本發明還提供一種晶圓研磨系統。

為解決上述技術問題，本發明采用以下技術方案：

根據本發明第一方面實施例的晶圓研磨方法,包括以下步驟:將切片后的具有沿特定結晶方向凹槽的晶圓置于加工臺上并對所述晶圓的邊緣進行初次研磨；將初次研磨后的所述晶圓按照特定結晶方向對其邊緣進行再次研磨并清洗；將再次研磨和清洗后的所述晶圓置于晶圓載體中并對所述晶圓的表面進行研磨。

進一步地,將初次研磨后的所述晶圓按照所述特定結晶方向對其邊緣進行再次研磨并清洗的步驟包括：將初次研磨后的所述晶圓以晶圓凹痕為基準對準所述加工臺的中心；將置有所述晶圓的加工臺按照特定結晶方向以90°方向旋轉以對所述晶圓再次研磨；清洗再次研磨后的所述晶圓。

根據本發明第二方面實施例的晶圓研磨系統，包括：移動件，所述移動件用于移動切片后的晶圓；加工臺，切片后的具有沿特定結晶方向凹槽的晶圓能夠通過所述移動件移動至所述加工臺上；多個研磨件，多個所述研磨件能夠對所述晶圓邊緣進行初次研磨，并且每個所述研磨件還能夠分別按照特定結晶方向與所述加工臺的旋轉方向相配合以對初次研磨后的所述晶圓邊緣進行再次研磨；清洗機構，所述清洗機構用于對研磨后的所述晶圓進行清洗。

進一步地，所述移動件形成為移動機械臂，所述加工臺形成為T形臺，所述移動機械臂能夠將所述晶圓移動至所述加工臺的中心位置。

進一步地，多個所述研磨件沿所述晶圓的特定結晶方向間隔開布置，所述晶圓在初次研磨時，由其中一個所述研磨件對其研磨，所述晶圓再次研磨時，多個研磨件沿所述晶圓的特定結晶方向同時研磨。

進一步地，所述研磨件與所述加工臺的旋轉方向相同或相反。

進一步地，所述研磨件形成為槽輪，所述槽輪的邊緣設有輪槽，所述輪槽上涂覆有包含金剛石粒子的金屬結合劑。

進一步地，所述清洗機構形成為噴嘴。