[發明專利]靶材的處理裝置及處理方法在審
| 申請號: | 201811621514.3 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN111378941A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發明(設計)人: | 姚力軍;潘杰;王學澤;壽奉糧 | 申請(專利權)人: | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23G1/14;C23F1/32;C23G3/00;C23F1/08 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
一種靶材的處理裝置及處理方法,所述處理裝置包括清洗架,所述清洗架內部設有通氣管;所述通氣管側壁上具有通孔。處理方法中包括提供靶材;將所述靶材放置于清洗架內;所述通氣管內氣體通過所述通孔對所述靶材表面進行處理。通過所述通氣管的作用使得所述靶材表面殘留金屬的脫落的更快,加快處理速度,節省人力,提高處理效率。
技術領域
本發明涉及半導體制作領域,特別涉及一種靶材的處理裝置及處理方法。
背景技術
磁控濺射是電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬原子和電子,電子飛向基片,氬離子在電場的作用下加速轟擊濺射基臺上的靶材組件上的靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶材原子(或分子)沉積在基板上成膜,而最終達到對基板表面鍍膜的目的。
靶材組件是由符合濺射性能的靶材、與靶材焊接連接的背板構成。背板在靶材組件中起支撐作用,并具有傳導熱量的功效。
現有技術中,對上述磁控濺射后的靶材的焊接面殘留材料的回收方法是通過加熱,然后使用機械拋光的方法將靶材焊接面的殘留材料刮下,再進行回收。然而現有技術中靶材處理回收方法中回收的不夠徹底,效果差,效率低,且回收成本較高。
因此,極需提供一種靶材的處理方法提高回收效率且降低回收成本。
發明內容
本發明解決的問題是現有的靶材回收方法中回收殘留材料的效率低,且回收成本較高。
為解決上述問題,本發明提供一種處理裝置,包括清洗架,所述清洗架內部設有通氣管;所述通氣管側壁上具有通孔。
可選的,所述通孔直徑為0.5mm-1.5mm。
可選的,所述通氣管側壁外表面綁有扎帶。
可選的,還包括:上氣裝置,所述上氣裝置具有上氣管,所述上氣管連接所述通氣管一端。
可選的,還包括清洗槽,盛放所述清洗架,所述清洗槽底部設置有過濾網。
本發明還提供一種處理靶材的方法,包括提供靶材;將所述靶材放置于清洗架內;所述通氣管內氣體通過所述通孔對所述靶材表面進行處理。
可選的,將所述靶材放置于清洗架內之后,還包括:提供清洗槽,將所述清洗架盛放于所述清洗槽內。
可選的,所述清洗槽內部裝有腐蝕液。
可選的,所述腐蝕液為質量分數為15%-20%的氫氧化鈉溶液。
可選的,所述通氣管內氣體通過所述通孔對所述靶材表面進行處理之后,還包括:通過清洗槽內的殘留物進行過濾。
可選的,通氣管內氣體通過所述通孔向所述靶材表面進行處理之前,還包括:提供上氣裝置,通過所述上氣裝置向所述通氣管內通入壓縮氣體。
與現有技術相比,本發明的技術方案具有以下優點:
將靶材放置在清洗架內,通過移動所述清洗架就可以移動所述靶材,當使用化學方法處理靶材時,通過移動清洗架更方便處理靶材,并且清洗架能夠保障所述靶材表面均勻接觸反應液;并且,通氣管側壁上設有通孔,通氣管內的氣體通過通孔出來,作用在所述靶材的表面,使得所述靶材處理速度提高,并且節約人力。
還提供一種靶材的處理方法,將靶材放置在所述清洗架內,然后使通氣管內的氣體通過所述通孔處理到所述靶材表面,提高所述靶材表面的反應速率,整個處理工藝方便簡單,節約成本。
附圖說明
圖1是本發明提供的實施例中處理裝置示意圖,其中,清洗槽未圖示;
圖2是本發明提供的實施例中通氣管示意圖。
具體實施方式
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