[發(fā)明專利]一種太陽能電池的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811620935.4
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN111384200A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣濤
• 申請（專利權(quán)）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0445
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

本發(fā)明實施例提供一種太陽能電池的制備方法，所述方法包括：在基板上制備光電轉(zhuǎn)換層，并在所述基板上形成未被所述光電轉(zhuǎn)換層覆蓋的預(yù)留區(qū)；將位于所述預(yù)留區(qū)內(nèi)的預(yù)設(shè)位置作為刻劃起始點，對所述光電轉(zhuǎn)換層進行第一刻劃，形成第一刻劃線。這樣，可通過靈活調(diào)節(jié)第一刻劃線的刻劃起始點來改善刻劃過程中的過刻、漏刻現(xiàn)象，降低過刻、漏刻概率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電池刻劃技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽能電池的制備方法。

背景技術(shù)

銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池在制作過程中需要引入三次刻劃。首先，在鈉鈣玻璃襯底上鍍完鉬(Mo)背電極層后，利用激光在Mo背電極層表面進行第一次劃線將其均勻分割成一個個細長的小區(qū)，將第一次刻劃記為P1，其次，繼續(xù)鍍完CIGS吸光層和硫化鎘(CdS)或氧化鋅(ZnO)緩沖層后，利用激光或機械的方式在P1右側(cè)附近并且平行于P1進行第二次刻劃，劃穿CIGS吸光層和CdS/ZnO緩沖層，將第二次刻劃記為P2；最后，鍍上摻鋁氧化鋅(AZO)頂電極層，把每個相鄰小區(qū)的AZO頂電極層和Mo背電極層連接起來，利用激光或機械的方式在P2右側(cè)附近并且平行于P2進行第三次刻劃，劃穿AZO頂電極層，切斷每個相鄰小區(qū)的AZO頂電極層和Mo背電極層的連接，將第三次刻劃記為P3。

目前，采用機械方式對CIGS薄膜太陽能電池進行刻劃時，容易發(fā)生過刻時、漏刻，若通過調(diào)整針壓的方式改善，效果并不明顯，過刻、漏刻的概率仍舊過高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種太陽能電池的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中在對CIGS薄膜太陽能電池進行刻劃時，過刻、漏刻概率高的問題。

為了達到上述目的，本發(fā)明提供一種太陽能電池的制備方法，所述方法包括：

在基板上制備光電轉(zhuǎn)換層，并在所述基板上形成未被所述光電轉(zhuǎn)換層覆蓋的預(yù)留區(qū)；

將位于所述預(yù)留區(qū)內(nèi)的預(yù)設(shè)位置作為刻劃起始點，對所述光電轉(zhuǎn)換層進行第一刻劃，形成第一刻劃線。

進一步的，在形成第一刻劃線之后，還包括：

對所述光電轉(zhuǎn)換層進行第二刻劃，形成第二刻劃線，所述第二刻劃線的起始點與所述第一刻劃線的終點重合，且所述第二刻劃線位于所述第一刻劃線的延長線上。

進一步的，在形成第二刻劃線之后，還包括：

制備電極層，所述電極層覆蓋在所述預(yù)留區(qū)和所述光電轉(zhuǎn)換層上；

將所述電極層上正對所述光電轉(zhuǎn)換層的區(qū)域內(nèi)的預(yù)設(shè)位置作為刻劃起始點，對所述電極層進行第三刻劃，形成第三刻劃線。

進一步的，在形成第三刻劃線之后，還包括：

對所述電極層進行第四刻劃，形成第四刻劃線，所述第四刻劃線的起始點與所述第三刻劃線的終點重合，且所述第四刻劃線位于所述第三刻劃線的延長線上。

進一步的，所述對所述光電轉(zhuǎn)換層進行第一刻劃，形成第一刻劃線，包括：

按照第一刻劃參數(shù)對所述光電轉(zhuǎn)換層進行第一刻劃，形成第一刻劃線；

所述第一刻劃參數(shù)包括第一刻劃速度和第一刻劃針壓，其中，第一刻劃速度的取值范圍為900mm/s至1100mm/s，第一刻劃針壓的取值范圍為1.5N至1.9N。

進一步的，所述對所述光電轉(zhuǎn)換層進行第二刻劃，形成第二刻劃線，包括：

按照第二刻劃參數(shù)對所述光電轉(zhuǎn)換層進行第二刻劃，形成第二刻劃線；

所述第二刻劃參數(shù)包括第二刻劃速度和第二刻劃針壓，其中，第二刻劃速度的取值范圍為800mm/s至1000mm/s，第二刻劃針壓的取值范圍為0.8N至1.2N。

進一步的，所述對所述電極層進行第三刻劃，形成第三刻劃線，包括：