[發明專利]一種半導體散熱器及其加工方法

有效

• 申請號: 201811620617.8
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109531083B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 高吳鵬;仝瑞振
• 申請（專利權）人: 同共（湖北）精密成形有限公司
• 主分類號: B23P15/26
• 分類號: B23P15/26;B21H1/14;C22F1/08;C22F1/02
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立;馮瑛琪

1.一種半導體散熱器加工方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、原材料處理

選取T2純銅作為原材料，將所述T2純銅用鋸床切割，得圓柱毛坯；

S2、熱處理

將所述圓柱毛坯用井式真空退火爐進行退火處理；

S3、預成型

將步驟S2中經過退火處理的圓柱毛坯放在第一下模上用T200擺動輾壓機進行一次預成型，且上模按照圓形軌跡轉動，下模上移；

S4、二次熱處理

將步驟S3中經過預成型的圓柱毛坯用井式真空退火爐進行第二次退火處理；

S5、擺輾成型

將步驟S3中經過二次退火處理的圓柱毛坯放在第二下模上，用T630擺動輾壓機輾壓成型且上模按圓形軌跡轉動，下模上移，得到半導體散熱器，所述上模的軸線與豎直方向之間的角度為0～5°。

2.根據權利要求1所述半導體散熱器加工方法，其特征在于，還包括如下步驟：去飛邊，將步驟S5中所述的半導體散熱器用車床進行一次車削，得到最終的半導體散熱器。

3.根據權利要求2所述半導體散熱器加工方法，其特征在于，步驟S1中，所選T2純銅為直徑為49mm的T2純銅棒。

4.根據權利要求2所述半導體散熱器加工方法，其特征在于，步驟S1中，所述圓柱毛坯的厚度為40～60mm。

5.根據權利要求2所述半導體散熱器加工方法，其特征在于，步驟S2中，所述井式真空退火爐的溫度為500～700℃。

6.根據權利要求2所述半導體散熱器加工方法，其特征在于，步驟S3中，所述圓柱毛坯在T200擺動輾壓機上的工進量為8.4～20mm/s。

7.根據權利要求2所述半導體散熱器加工方法，其特征在于，步驟S5具體過程為，將所述二次退火處理的圓柱毛坯裝在T630擺動輾壓機的下模上，上模在所述圓柱毛坯上按圓形軌跡碾壓，保壓時間為1～3s，在所述圓柱毛坯上施加的壓力為總壓力的40～60％。

8.根據權利要求7所述半導體散熱器加工方法，其特征在于，在所述第一下模和所述第二下模上由中心向邊緣依次設置第一圓柱通槽(1)、若干第一通槽(2)、若干第二通槽(3)和環形槽(4)，各所述第一通槽(2)繞所述下模的周向設置，各所述第二通槽(3)繞所述下模的周向設置，所述第一通槽(2)和所述第二通槽(3)均包括中間的第二圓柱通槽和左右兩邊與所述第二圓柱通槽連通的條形通槽。

9.根據權利要求8所述半導體散熱器加工方法，其特征在于，所述第一下模上的各所述槽體長度小于所述第二下模上的各所述槽體。

10.一種根據權利要求1至9任一所述半導體散熱器加工方法加工得到的半導體散熱器。