[發明專利]氧化還原裝置、氣體調節系統及制冷器具有效
| 申請號: | 201811620404.5 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN111384422B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發明(設計)人: | 吳臨遠;劉玉花;仲偉 | 申請(專利權)人: | 博西華電器(江蘇)有限公司;BSH家用電器有限公司 |
| 主分類號: | H01M8/1226 | 分類號: | H01M8/1226;H01M8/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210046 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化 還原 裝置 氣體 調節 系統 制冷 器具 | ||
1.一種氧化還原裝置(100),包括:膜電極組件(10),所述膜電極組件(10)包括:質子交換膜(11)、陽極層(12)、陰極層(13),所述質子交換膜(11)位于所述陽極層(12)及陰極層(13)之間,所述陽極層用以電解供應至陽極層的水,其特征在于,在所述膜電極組件(10)的陽極層(12)側設有第一氣體擴散層(20)以及阻水層(30),所述第一氣體擴散層(20)位于所述膜電極組件(10)與所述阻水層(30)之間,所述阻水層用以減小輸送至陽極層的水量。
2.根據權利要求1所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述阻水層(30)包括導電高分子膜。
3.根據權利要求1所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述阻水層(30)具有孔(31)。
4.根據權利要求1所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述阻水層(30)和所述質子交換膜(11)由相同的材料制成。
5.根據權利要求1所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述阻水層(30)包括疏水層(32)。
6.根據權利要求5所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述阻水層(30)包括第二氣體擴散層(33),所述第二氣體擴散層(33)設有所述疏水層(32)。
7.根據權利要求6所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述第一氣體擴散層(20)位于所述第二氣體擴散層(33)和所述陽極層(12)之間。
8.根據權利要求6所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述疏水層(32)設于第二氣體擴散層(33)面向所述陽極層(12)的一側。
9.根據權利要求1所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述第一氣體擴散層(20)設有親水層(40)。
10.根據權利要求9所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述親水層(40)設于所述第一氣體擴散層(20)面向所述膜電極組件(10)的一側。
11.據權利要求1所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述第一氣體擴散層(20)和阻水層(30)接觸。
12.根據權利要求1至11任一項所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,還包括:導流板(50);所述阻水層(30)設置于所述導流板(50)與所述第一氣體擴散層(20)之間。
13.根據權利要求12所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述導流板(50)包括外導流板(52)及內導流板(51),其中:
所述內導流板(51)位于所述外導流板(52)與所述阻水層(30)之間。
14.根據權利要求13所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述外導流板(52)上設置有若干個第一槽口(521),所述內導流板(51)上設置有若干個第二槽口(511),所述第一槽口(521)的延伸方向與所述第二槽口(511)的延伸方向不一致。
15.根據權利要求12所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,還包括固定端板(60),所述導流板(50)位于所述固定端板(60)與所述阻水層(30)之間。
16.根據權利要求15所述的氧化還原裝置(100),其特征在于,所述固定端板(60)的數目為2個,其中一個固定端板(60)上設置有進氣連接口(61)和排氣連接口(62),另一個固定端板(60)上設置有進水連接口(63)和排水連接口(64)。
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