[發明專利]一種肖特基二極管及整流電路在審
| 申請號: | 201811620030.7 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109713047A | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發明(設計)人: | 薛磊;李雯 | 申請(專利權)人: | 西安科銳盛創新科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/872 | 分類號: | H01L29/872;H01L29/165;H01L29/06 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 劉長春 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市高新區高新路86號*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓應變 肖特基二極管 肖特基二級管 整流電路 金屬層 襯底 電子遷移率 肖特基接觸 內嵌 預設 應用 | ||
本發明涉及一種肖特基二級管及整流電路,肖特基二級管包括:Si襯底(001)、N型Si1?xGex層(004)、第一N型壓應變Ge層(011)、第二N型壓應變Ge層(007)、鋁Al金屬層(008)和鎢W金屬層(010),其中,所述N型Si1?xGex層(004)設置在所述Si襯底(001)的表面;所述第一N型壓應變Ge層(011)設置在所述N型Si1?xGex層(004)的表面;所述第二N型壓應變Ge層(007)內嵌在所述第一N型壓應變Ge層(011)中;所述鋁Al金屬層(008)設置在所述第二N型壓應變Ge層(007)的表面上;所述鎢W金屬層(010)設置在所述第一N型壓應變Ge層(011)的表面的預設的肖特基接觸指定區域內。應用本發明實施例可以提高肖特基二極管的電子遷移率。
技術領域
本發明屬于集成電路技術領域,具體涉及一種肖特基二級管及整流電路。
背景技術
無線能量傳輸系統(Wireless Power Transfer,WPT)可以突破傳統傳輸線的限制,使得輸送電能無需依靠輸電線,尤其適用特殊場景,比如,對危險場景下的機器人充電,或者對人體內的人造器官充電等。具體的,以電磁波作為輸入能量的WPT稱為微波無線能量傳輸系統(Microwave Power Transfer,MPT)。WPT發射端可以將直流電轉化為電磁波發射出去,再由WPT接收端將接收到的電磁波轉化為直流電,從而實現電能的輸送。其中,轉換效率是指WPT將電磁波轉化為直流電的效率,是評價WPT性能優劣的關鍵指標。整流天線是WPT接收端的關鍵部件,而整流二極管是整流電路的核心器件,因此,整流二極管的性能可以決定WPT的最大轉換效率。
目前,可以使用Ge材料制備的肖特基二極管作為整流二極管。但是,肖特基二極管的電子遷移率還有待提高。
發明內容
為了解決現有技術中存在的上述問題,本發明提供了一種肖特基二級管及整流電路。本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現:
本發明實施例提供了一種肖特基二級管,包括:
包括:Si襯底001、N型Si1-xGex層004、第一N型壓應變Ge層011、第二N型壓應變Ge層007、鋁Al金屬層008和鎢W金屬層010;
所述N型Si1-xGex層004設置在所述Si襯底001的表面;
所述第一N型壓應變Ge層011設置在所述N型Si1-xGex層004的表面;
所述第二N型壓應變Ge層007內嵌在所述第一N型壓應變Ge層011中;
所述鋁Al金屬層008設置在所述第二N型壓應變Ge層007的表面上;
所述鎢W金屬層010設置在所述第一N型壓應變Ge層011的表面的預設的肖特基接觸指定區域內。
在本發明的一個實施例中,所述Si襯底001為厚度為300~400μm的N型單晶Si襯底。
在本發明的一個實施例中,所述N型Si1-xGex層004的厚度為300~400nm,摻雜濃度為1.8~2×1016cm-2,其中,x>0.8。
在本發明的一個實施例中,所述第一N型壓應變Ge層011的厚度為900~1000nm,摻雜濃度為1.8×1014~2×1014cm-2。
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