[發明專利]一種肖特基二極管及整流電路

在審

• 申請號: 201811620030.7
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109713047A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 薛磊;李雯
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/165;H01L29/06
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括：Si襯底(001)、N型Si_1-xGe_x層(004)、第一N型壓應變Ge層(011)、第二N型壓應變Ge層(007)、鋁Al金屬層(008)和鎢W金屬層(010)，其中，

所述N型Si_1-xGe_x層(004)設置在所述Si襯底(001)的表面；

所述第一N型壓應變Ge層(011)設置在所述N型Si_1-xGe_x層(004)的表面；

所述第二N型壓應變Ge層(007)內嵌在所述第一N型壓應變Ge層(011)中；

所述Al金屬層(008)設置在所述第二N型壓應變Ge層(007)的表面上；

所述W金屬層(010)設置在所述第一N型壓應變Ge層(011)的表面的預設的肖特基接觸指定區域內。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，

所述Si襯底(001)為厚度為300～400μm的N型單晶Si襯底。

3.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，

所述N型Si_1-xGe_x層(004)的厚度為300～400nm，摻雜濃度為1.8～2×10¹⁶cm^-2，其中，x>0.8。

4.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，

所述第一N型壓應變Ge層(011)的厚度為900～1000nm，摻雜濃度為1.8×10¹⁴～2×10¹⁴cm^-2。

5.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，

所述第二N型壓應變Ge層(007)的摻雜濃度為10²⁰cm^-3。

6.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，

所述Al金屬層(008)和所述W金屬層(010)的厚度均為10～20nm。

7.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，

所述N型Si_1-xGe_x層(004)是對經再結晶處理后的高Ge組分Si_1-xGe_x層，進行離子注入后形成的。

8.根據權利要求7所述的肖特基二極管，其特征在于，所述再結晶處理，包括：

在所述Si襯底(001)的表面，淀積高Ge組分Si_1-xGe_x層；

對加熱后的所述高Ge組分Si_1-xGe_x層，采用連續激光掃描，其中，激光的波長為808nm，所述激光的功率密度為2.1kW/cm²，所述激光的光斑尺寸為10nm×1nm，所述激光的移動速度為20nm/s；

使連續激光掃描后的高Ge組分Si_1-xGe_x層自然冷卻后再結晶。

9.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，

所述第二N型壓應變Ge層(007)，是對所述第一N型壓應變Ge層(011)進行局部的離子注入后形成的。

10.一種整流電路，其特征在于，所述整流電路包括如權利要求1～9任一項所述的肖特基二極管。