[發明專利]一種肖特基二極管及無線充電系統

在審

• 申請號: 201811619903.2
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109698243A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 李薇;李雯
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H02J50/20
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種肖特基二極管(10)，其特征在于，包括：

Si襯底(101)；

第一Ge層(102)，設置于所述Si襯底(101)的第一表面；

第二Ge層(103)，設置于所述第一Ge層(102)的上表面，為脊狀臺階結構；

SiGe層(104)，設置于所述第二Ge層(103)的臺階表面；

第一金屬電極(105)，設置于所述第二Ge層(103)的上表面；

第二金屬電極(106)，設置于所述Si襯底(101)的第二表面。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管(10)，其特征在于，所述Si襯底(101)為N型單晶Si襯底，摻雜濃度為1×10²⁰cm^-3，厚度為300～400μm。

3.根據權利要求1所述的肖特基二極管(10)，其特征在于，所述第一Ge層(102)材料為N型Ge材料，摻雜濃度為1×10²⁰cm^-3，厚度為40～50nm。

4.根據權利要求1所述的肖特基二極管(10)，其特征在于，所述第二Ge層(103)材料為N型Ge材料，摻雜濃度為1.8×10¹⁴～2×10¹⁴cm^-3，厚度為900～950nm。

5.根據權利要求1所述的肖特基二極管(10)，其特征在于，所述SiGe層(104)材料為Si_0.xGe_0.x材料，厚度為20nm。

6.根據權利要求5所述的肖特基二極管(10)，其特征在于，所述Si_0.xGe_0.x材料中x取值為0.5。

7.根據權利要求1所述的肖特基二極管(10)，其特征在于，所述第一金屬電極(105)材料為金屬W，厚度為10～20nm；所述第二金屬電極(106)材料為金屬Al，厚度為10～20nm。

8.根據權利要求1所述的肖特基二極管(10)，其特征在于，所述第一金屬電極(105)設置于所述第二Ge層(103)脊狀臺階的脊狀頂面的中心處；所述第二金屬電極(106)設置于所述Si襯底(101)的第二表面的中心處。

9.根據權利要求1所述的肖特基二極管(10)，其特征在于，所述第二Ge層(103)的脊狀臺階的臺階高度為20nm。

10.一種無線充電系統，其特征在于，所述無線充電系統包括：依次電連接的電源(301)、微波激勵源(302)、功率放大器(303)、發射天線(304)以及整流天線(305)；其中，所述整流天線(305)包括至少一個如權利要求1-9所述的肖特基二極管(10)。