[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201811619564.8
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN110021668A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 李正韓;樸成哲;李允逸;金并基;全英敏;河大元;黃寅燦;樸宰賢;申宇哲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

一種半導體器件包括：多個柵電極，在襯底上交叉有源圖案并沿第二方向延伸，所述多個柵電極在第一方向上彼此間隔開；柵極分隔圖案，具有在第一方向上的長軸并且在所述多個柵電極中的兩個柵電極之間，所述多個柵電極中的所述兩個柵電極在第二方向上彼此相鄰；以及多個柵極間隔物，覆蓋所述多個柵電極中的相應柵電極的側壁，柵極間隔物交叉柵極分隔圖案并沿第二方向延伸。柵極分隔圖案包括沿第一方向延伸的下部、從下部突出并具有第一寬度的中間部分、以及在兩個相鄰的柵極間隔物之間并從中間部分突出的上部，上部具有小于第一寬度的第二寬度。

技術領域

發明構思涉及半導體器件，更具體地，涉及包括場效應晶體管的半導體器件。

背景技術

半導體器件包括由金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)構成的集成電路。隨著半導體器件變得高度集成，MOSFET的按比例縮小也在加速，因而半導體器件的工作特性可能劣化。因此，已經開發了各種研究來制造這樣的半導體器件，其具有優異的性能同時克服了由半導體器件的高集成度所致的限制。

發明內容

發明構思的一些示例實施方式提供了包括高度集成的場效應晶體管的半導體器件。

發明構思不限于上述內容，并且以上未提及的其它目的將由以下描述清楚。

根據發明構思的一些示例實施方式，一種半導體器件可以包括：半導體襯底，包括沿第一方向延伸的有源圖案；多個柵電極，交叉有源圖案并沿第二方向延伸，所述多個柵電極在第一方向上彼此間隔開；柵極分隔圖案，具有在第一方向上的長軸并且在所述多個柵電極中的兩個柵電極之間，所述多個柵電極中的所述兩個柵電極在第二方向上彼此相鄰；以及多個柵極間隔物，覆蓋所述多個柵電極中的相應柵電極的側壁，柵極間隔物交叉柵極分隔圖案并沿第二方向延伸。柵極分隔圖案包括沿第一方向延伸的下部、從下部突出并具有第一寬度的中間部分、以及在兩個相鄰的柵極間隔物之間并從中間部分突出的上部，上部具有小于第一寬度的第二寬度。

根據發明構思的一些示例實施方式，一種半導體器件可以包括：半導體襯底，包括沿第一方向延伸的有源圖案；多個柵電極，交叉有源圖案并沿第二方向延伸，所述多個柵電極在第一方向上彼此間隔開；柵極分隔圖案，在所述多個柵電極中的至少兩個柵電極之間，所述至少兩個柵電極在第二方向上彼此相鄰，柵極分隔圖案具有在第一方向上的長軸；以及多個柵極間隔物，覆蓋所述多個柵電極中的相應柵電極的側壁，柵極間隔物交叉柵極分隔圖案并沿第二方向延伸。柵極分隔圖案包括在所述多個柵極間隔物中的兩個相鄰的柵極間隔物之間的上部、以及在柵極間隔物之下沿第一方向延伸的下部。每個柵極間隔物包括低k電介質材料，該低k電介質材料具有比柵極分隔圖案的介電常數小的介電常數。

根據發明構思的一些示例實施方式，一種半導體器件可以包括：半導體襯底，包括第一有源圖案和第二有源圖案，第一有源圖案和第二有源圖案沿第一方向延伸；多個第一柵電極，交叉第一有源圖案并沿第二方向延伸；多個第二柵電極，交叉第二有源圖案并沿第二方向延伸，第二柵電極在第二方向上與第一柵電極間隔開；柵極分隔圖案，在所述多個第一柵電極中的一個與所述多個第二柵電極中的一個之間，所述多個第一柵電極中的所述一個和所述多個第二柵電極中的所述一個在第二方向上彼此相鄰；多個柵極間隔物，沿第二方向從所述多個第一柵電極和所述多個第二柵電極中的相應柵電極的側壁延伸；多個第一外延層，在第一有源圖案上并且在第一柵電極之間；以及多個第二外延層，在第二有源圖案上并且在第二柵電極之間。柵極分隔圖案包括：多個第一部分，每個第一部分在所述多個第一柵電極中的所述一個與所述多個第二柵電極中的所述一個之間具有第一高度；以及多個第二部分，在第一方向上連接到所述多個第一部分并在第二方向上位于所述多個第一外延層中的一個與所述多個第二外延層中的一個之間，其中每個第二部分具有小于第一高度的第二高度。

其它示例實施方式的細節被包括在說明書和附圖中。

附圖說明

圖1示出顯示了根據發明構思的一些示例實施方式的半導體器件的簡化俯視圖。