[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201811619564.8
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN110021668A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 李正韓;樸成哲;李允逸;金并基;全英敏;河大元;黃寅燦;樸宰賢;申宇哲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，包括沿第一方向延伸的有源圖案；

多個柵電極，交叉所述有源圖案并且沿第二方向延伸，所述多個柵電極在所述第一方向上彼此間隔開；

柵極分隔圖案，具有在所述第一方向上的長軸并且在所述多個柵電極中的兩個柵電極之間，所述多個柵電極中的所述兩個柵電極在所述第二方向上彼此相鄰；以及

多個柵極間隔物，覆蓋所述多個柵電極中的相應柵電極的側壁，所述柵極間隔物交叉所述柵極分隔圖案并且沿所述第二方向延伸，

其中所述柵極分隔圖案包括：

下部，沿所述第一方向延伸；

中間部分，從所述下部突出并且具有第一寬度，以及

上部，在兩個相鄰的柵極間隔物之間并且從所述中間部分突出，所述上部具有小于所述第一寬度的第二寬度。

2.根據權利要求1所述的器件，其中所述多個柵電極的每個具有與所述第二寬度基本相同的寬度。

3.根據權利要求1所述的器件，其中所述多個柵極間隔物的每個包括低k電介質材料，所述低k電介質材料具有比所述柵極分隔圖案的介電常數小的介電常數。

4.根據權利要求1所述的器件，其中所述多個柵極間隔物包括：

第一間隔物部分，沿所述第二方向延伸并且覆蓋所述柵電極的所述側壁和所述柵極分隔圖案的所述上部的側壁；以及

第二間隔物部分，沿所述第一方向延伸并且覆蓋所述柵極分隔圖案的所述下部的側壁。

5.根據權利要求4所述的器件，其中所述第一間隔物部分的高度大于所述第二間隔物部分的高度。

6.根據權利要求1所述的器件，其中所述柵極分隔圖案的所述上部的頂表面在與所述柵電極的頂表面的水平基本相同的水平處。

7.根據權利要求1所述的器件，其中所述柵極分隔圖案的底表面在比所述柵電極的底表面的水平低的水平處。

8.根據權利要求1所述的器件，還包括：

多個殘余虛設柵極圖案，局部地位于所述柵電極的對應的下部拐角上，

其中所述殘余虛設柵極圖案包括與所述柵電極的材料不同的材料。

9.根據權利要求1所述的器件，其中所述多個柵電極的每個包括：

金屬圖案；以及

阻擋金屬圖案，在所述金屬圖案與所述有源圖案之間并且在所述金屬圖案與所述柵極間隔物之間延伸。

10.根據權利要求1所述的器件，還包括：

多個外延層，在所述多個柵電極的相鄰柵電極之間的所述有源圖案上，

其中所述柵極分隔圖案的一部分在所述外延層之間，所述多個外延層在所述第二方向上彼此間隔開。

11.根據權利要求10所述的器件，還包括：

連接所述多個外延層的接觸圖案，

其中所述接觸圖案的一部分跨越所述柵極分隔圖案的所述下部。

12.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，包括沿第一方向延伸的有源圖案；

多個柵電極，交叉所述有源圖案并且沿第二方向延伸，所述多個柵電極在所述第一方向上彼此間隔開；

柵極分隔圖案，在所述多個柵電極中的至少兩個柵電極之間，所述至少兩個柵電極在所述第二方向上彼此相鄰，所述柵極分隔圖案具有在所述第一方向上的長軸；以及

多個柵極間隔物，覆蓋所述多個柵電極中的相應柵電極的側壁，所述柵極間隔物交叉所述柵極分隔圖案并且沿所述第二方向延伸，

其中所述柵極分隔圖案包括：

上部，在所述多個柵極間隔物中的兩個相鄰的柵極間隔物之間，以及

下部，在所述柵極間隔物之下沿所述第一方向延伸，

其中所述多個柵極間隔物的每個包括低k電介質材料，所述低k電介質材料具有比所述柵極分隔圖案的介電常數小的介電常數。