[發明專利]防濺裝置及腐蝕工藝反應設備有效
| 申請號: | 201811619002.3 | 申請日: | 2018-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN109698149B | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發明(設計)人: | 黃鑫亮;夏楠君;王勇威;范文斌;李元升;張偉鋒;祝福生;吳光慶;吳娖;陳蘇偉;王文麗 | 申請(專利權)人: | 北京半導體專用設備研究所(中國電子科技集團公司第四十五研究所) |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王術蘭 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 腐蝕 工藝 反應 設備 | ||
本發明涉及一種防濺裝置及腐蝕工藝反應設備,前者包括防濺筒、升降擋板以及擋板驅動裝置,防濺筒的頂部和底部分別具有開口,且防濺筒能夠套設于腐蝕工藝反應設備的反應臺的周面上且與周面之間形成導流間隙,升降擋板與防濺筒固定連接,擋板驅動裝置與升降擋板傳動連接,用于驅動升降擋板帶動防濺筒進行升降運動;后者包括前者。本發明提供的防濺裝置及腐蝕工藝反應設備能夠防止化學反應液在沖蝕過程中向外飛濺到工藝設備的內腔壁,具有結構簡單、可防止工藝設備的內腔壁腐蝕損壞的優點。
技術領域
本發明涉及腐蝕工藝設備技術領域,尤其是涉及一種用于防濺裝置及腐蝕工藝反應設備。
背景技術
隨著半導體進入微納米時代,對制造工藝提出了更大的挑戰,在半導體元件濕法腐蝕工藝過程中,會對放置在工藝設備的反應臺上的半導體元件(例如晶圓)通過化學反應液進行沖刷腐蝕以及通過清洗液進行沖刷清洗。
但是現有技術中的方法直接對半導體元件沖蝕或沖刷清洗,會導致一系列的問題。例如,會導致化學反應液在沖蝕過程中向外飛濺到工藝設備的內腔壁,造成腐蝕損壞;而且化學反應液和清洗液與半導體元件沖刷后的廢液在反應臺上不能較好的引流匯聚,不僅導致廢液的難于收集,而且散布在反應臺廢液在內腔中揮發還會進一步污蝕工藝設備。
公開于該背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本發明總體背景技術的理解,而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成本領域技術人員所公知的現有技術。
發明內容
本發明是鑒于上述問題而提出的,其目的在于提供一種防濺裝置及腐蝕工藝反應設備。
該防濺裝置應用于腐蝕工藝設備,能夠防止化學反應液在沖蝕過程中向外飛濺到工藝設備的內腔壁,具有結構簡單、可防止工藝設備的內腔壁腐蝕損壞的優點。
該腐蝕工藝反應設備包括上述的防濺裝置,能實現上述的防濺裝置所以有益效果,在此不再贅述。
為實現本發明的目的采用如下的技術方案:
第一技術方案的發明為一種防濺裝置,應用于腐蝕工藝反應設備,所述防濺裝置包括防濺筒、升降擋板以及擋板驅動裝置,
所述防濺筒的頂部和底部分別具有開口,且所述防濺筒能夠套設于腐蝕工藝反應設備的反應臺的周面上且與所述周面之間形成導流間隙;
所述升降擋板與所述防濺筒固定連接;
所述擋板驅動裝置與所述升降擋板傳動連接,用于驅動所述升降擋板帶動所述防濺筒進行升降運動。
另外,第二技術方案的防濺裝置,在第一技術方案的防濺裝置基礎上,所述防濺裝置還包括限位框,
所述限位框包括水平頂框以及分別垂直于所述水平頂框分布于所述水平頂框的兩端的第一豎直側框和第二豎直側框,
且在所述第一豎直側框和所述第二豎直側框的相互面對的相對面上分別設置有沿豎直方向延伸的導向槽,
所述升降擋板以能夠沿所述導向槽上下滑動的方式與所述限位框連接。
另外,第三技術方案的防濺裝置,在第二技術方案的防濺裝置基礎上,在所述水平頂框的朝向所述升降擋板的框面上還設置有高壓噴氣孔,且所述高壓噴氣孔通過導氣管路與高壓氣泵連接。
另外,第四技術方案的防濺裝置,在第一技術方案的防濺裝置基礎上,所述擋板驅動裝置包括氣缸、驅動連接板和升降連接板,
所述驅動連接板與所述氣缸的活塞桿的輸出端連接,且所述驅動連接板通過所述升降連接板與所述升降擋板連接。
另外,第五技術方案的防濺裝置,在第一技術方案的防濺裝置基礎上,所述擋板驅動裝置包括步進電機、齒輪齒條傳動機構、驅動連接板和升降連接板,
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





