[發明專利]襯底處理裝置

在審

• 申請號: 201811618910.0
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN110277329A
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 八幡橘;大橋直史;松井俊
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

本發明涉及襯底處理裝置。本發明的課題為能夠使對襯底的處理的品質(例如，成膜而得的膜的品質)良好。本發明的解決手段為提供下述技術，其具有：處理室，其對襯底進行處理；襯底支承部，其支承襯底；升降部，其使襯底支承部升降；氣體供給口，其向襯底供給氣體；和控制部，其以使得從氣體供給口供給氣體時的氣體供給口與支承于襯底支承部的襯底的間隔可變的方式控制升降部的升降動作。

技術領域

本發明涉及襯底處理裝置。

背景技術

作為半導體器件的制造工序中使用的襯底處理裝置的一個方式，例如，有如下構成的襯底處理裝置：通過對晶片等襯底供給原料氣體、處理氣體、吹掃氣體等各種氣體，從而進行成膜處理等規定處理(例如，參見專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第5872028號公報

發明內容

發明要解決的課題

本發明提供能夠使對襯底的處理的品質(例如，成膜而得的膜的品質)良好的技術。

用于解決課題的手段

根據一個方式，提供下述技術，其具有：

處理室，其對襯底進行處理；

襯底支承部，其支承上述襯底；

升降部，其使上述襯底支承部升降；

氣體供給口，其向上述襯底供給氣體；和

控制部，其以使得從上述氣體供給口供給氣體時的上述氣體供給口與支承于上述襯底支承部的上述襯底的間隔可變的方式控制上述升降部的升降動作。

發明效果

根據本發明涉及的技術，能夠使對襯底的處理的品質良好。

附圖說明

[圖1]為示意性地示出本發明的第一實施方式涉及的襯底處理裝置的構成例的說明圖。

[圖2]為示出在本發明的第一實施方式涉及的襯底處理裝置中進行的襯底處理工序的概要的流程圖。

[圖3]為示出在本發明的第一實施方式涉及的襯底處理裝置中進行的成膜工序的基本步驟的流程圖。

[圖4]為示出在本發明的第一實施方式涉及的襯底處理裝置中進行的成膜工序的第一控制模式的例子的表圖。

[圖5]為示出在本發明的第一實施方式涉及的襯底處理裝置中進行的成膜工序的第二控制模式的例子的表圖。

[圖6]為示出在本發明的第一實施方式涉及的襯底處理裝置中進行的成膜工序的第三控制模式的例子的表圖。

[圖7]為示出在本發明的第一實施方式涉及的襯底處理裝置中進行的成膜工序的第三控制模式的變形例的表圖。

[圖8]為示出在本發明的第一實施方式涉及的襯底處理裝置中進行的成膜工序的第四控制模式的例子的表圖。

[圖9]為示意性地示出本發明的第二實施方式涉及的襯底處理裝置的構成例的俯視圖。

附圖標記說明