[發明專利]襯底處理裝置

在審

• 申請號: 201811618910.0
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN110277329A
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 八幡橘;大橋直史;松井俊
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.襯底處理裝置，其具有：

處理室，其對襯底進行處理；

襯底支承部，其支承所述襯底；

升降部，其使所述襯底支承部升降；

氣體供給口，其向所述襯底供給氣體；和

控制部，其以使得從所述氣體供給口供給氣體時的所述氣體供給口與支承于所述襯底支承部的所述襯底的間隔可變的方式控制所述升降部的升降動作。

2.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部根據對所述襯底的處理的時機使所述間隔可變。

3.如權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部以在兩步化的步驟1中縮窄所述間隔、并在步驟2中拓寬所述間隔的方式使所述間隔可變。

4.如權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部在從對所述襯底的處理剛開始后起的一定期間、與經過所述一定期間后的剩余期間中使所述間隔可變。

5.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部根據從所述氣體供給口供給的氣體種類使所述間隔可變。

6.如權利要求5所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部以在供給吹掃氣體時縮窄所述間隔的方式使所述間隔可變。

7.如權利要求5所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部以在第一處理氣體供給時縮窄、在第二處理氣體供給時拓寬的方式使所述間隔可變。

8.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部根據對所述襯底的處理的內容使所述間隔可變。

9.如權利要求8所述的襯底處理裝置，所述襯底處理裝置具備等離子體生成部，所述等離子體生成部將向所述襯底供給的氣體等離子體化，

所述控制部在所述等離子體生成部進行等離子體化時、與所述等離子體生成部不進行等離子體化時使所述間隔可變。

10.如權利要求8所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部在進行循環處理時、與進行CVD處理時使所述間隔可變。

11.如權利要求1所述的襯底處理裝置，所述襯底處理裝置具有對所述處理室的壓力進行檢測的檢測部，

所述控制部構成為基于由所述檢測部得到的檢測結果來調節所述間隔。

12.半導體器件的制造方法，其具有下述工序：

從氣體供給口向支承于可升降的襯底支承部的襯底供給氣體而對所述襯底進行處理的工序；和

以使得從所述氣體供給口供給氣體時的所述氣體供給口與支承于所述襯底支承部的所述襯底的間隔可變的方式，使所述襯底支承部升降的工序。

13.如權利要求12所述的半導體器件的制造方法，所述制造方法具有根據對所述襯底的處理的時機使所述間隔可變的工序。

14.如權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其中，所述處理的工序具有兩個工序，

以在兩個工序之中的第1工序中縮窄所述間隔、在第2工序中拓寬所述間隔的方式，使所述間隔可變。

15.如權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其中，在從所述處理的工序剛開始后起的一定期間、與經過所述一定期間后的剩余期間中，使所述間隔可變。

16.如權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中，在所述處理的工序中，依次供給多種氣體，

根據所述氣體的種類使所述間隔可變。

17.如權利要求16所述的半導體器件的制造方法，其中，在所述處理的工序中，具有供給吹掃氣體的工序，

使供給所述吹掃氣體時的所述間隔窄于供給其他氣體時的間隔。