[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811617682.5
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN110021561B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韋維克;陳柏安
• 申請（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;任默聞

1.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，其特征在于，包括:

提供一基板，其中該基板包括一低電位預(yù)定區(qū)以及一高電位預(yù)定區(qū)；

形成一犧牲氧化層于該基板之上；

形成一第一阱與一第二阱于該高電位預(yù)定區(qū)的基板中，其中該第一阱與該第二阱具有相反的導(dǎo)電型態(tài)；

進(jìn)行一刻蝕工藝移除該高電位預(yù)定區(qū)的基板上的犧牲氧化層，但保留該低電位預(yù)定區(qū)的基板上的犧牲氧化層；

形成一高電位區(qū)氧化層于該高電位預(yù)定區(qū)的基板上與一第一氧化層于該低電位預(yù)定區(qū)之基板上之犧牲氧化層上，其中形成該高電位區(qū)氧化層與該第一氧化層的步驟包括一熱氧化工藝，且該第一氧化層與該低電位預(yù)定區(qū)之基板上之犧牲氧化層的厚度總和大于或等于

在形成該高電位區(qū)氧化層之后，其中于該低電位預(yù)定區(qū)之基板上之犧牲氧化層與該第一氧化層充當(dāng)一屏蔽氧化層，形成一第三阱與一第四阱于該低電位預(yù)定區(qū)的基板中，其中該第三阱與該第四阱具有相反的導(dǎo)電型態(tài)；以及

形成一低電位區(qū)氧化層于該低電位預(yù)定區(qū)的基板上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其特征在于，該第一氧化層與該低電位預(yù)定區(qū)的基板上的犧牲氧化層的厚度總和為100至

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其特征在于，在形成該低電位區(qū)氧化層于該低電位預(yù)定區(qū)的基板上的步驟之前，還包括:

進(jìn)行一刻蝕工藝移除該低電位預(yù)定區(qū)的基板上的犧牲氧化層與該第一氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其特征在于，進(jìn)行該刻蝕工藝移除該低電位預(yù)定區(qū)之基板上之犧牲氧化層與該第一氧化層的步驟之前，更包括：

形成一掩膜層于該高電位區(qū)氧化層上，其中該掩膜層覆蓋該高電位區(qū)氧化層，但露出該低電位預(yù)定區(qū)之基板上之犧牲氧化層及該第一氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其特征在于，形成該低電位區(qū)氧化層的厚度小于該高電位區(qū)氧化層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其特征在于，包括該第三阱區(qū)與該第四阱區(qū)于該低電位預(yù)定區(qū)之基板形成一互補式金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。