[發(fā)明專利]MOS器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811616180.0
• 申請(qǐng)日: 2018-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN109712892B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳振華;郭鴻;李俊杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;董文倩

本發(fā)明提供了一種MOS器件的制作方法。該制作方法包括以下步驟：在襯底上形成柵極，在襯底的第一區(qū)域和第三區(qū)域中形成第一重?fù)诫s區(qū)，并去除位于第三區(qū)域中的部分第一重?fù)诫s區(qū)，第三區(qū)域中剩余的第一重?fù)诫s區(qū)構(gòu)成第一源區(qū)部，第一區(qū)域中的第一重?fù)诫s區(qū)構(gòu)成漏區(qū)，襯底的第二區(qū)域構(gòu)成溝道區(qū)；在被去除的第三區(qū)域中形成第二重?fù)诫s區(qū)，第二重?fù)诫s區(qū)與第一源區(qū)部接觸，且第二重?fù)诫s區(qū)與第一重?fù)诫s區(qū)的摻雜類型相反；去除第一源區(qū)部中與第二重?fù)诫s區(qū)接觸的部分以形成隔離區(qū)域，剩余的第一源區(qū)部構(gòu)成第二源區(qū)部，在隔離區(qū)域中形成分別與第二源區(qū)部和第二重?fù)诫s區(qū)接觸的金屬區(qū)域，第二源區(qū)部、金屬區(qū)域以及第二重?fù)诫s區(qū)構(gòu)成源區(qū)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種MOS器件的制作方法。

背景技術(shù)

隨著器件尺寸的不斷縮小，半導(dǎo)體器件面臨諸多問題，如溝道效應(yīng)嚴(yán)重、泄漏電流大等等，上述問題均會(huì)導(dǎo)致器件具有高功耗。因此，功耗是目前晶體管領(lǐng)域面臨的主要問題，通過降低器件的工作電壓或使器件保持較高的開關(guān)比都能夠有效地降低功耗。

為了有效降低器件功耗，現(xiàn)有技術(shù)中研究出了隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)，TFET相比于現(xiàn)有技術(shù)中的MOS晶體管，能夠具有更低的功耗。然而，其仍具有較高的開關(guān)比，從而導(dǎo)致功耗無法進(jìn)一步降低。

因此，現(xiàn)有技術(shù)中亟需提供一種能夠具有低功耗的MOS晶體管。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種MOS器件的制作方法，以提高一種能夠具有低功耗的MOS晶體管。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種MOS器件的制作方法，包括以下步驟：S1，提供襯底，并在襯底上形成柵極，襯底具有位于柵極下方且順次連接的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，第二區(qū)域位于與柵極對(duì)應(yīng)的襯底中，第二區(qū)域和第三區(qū)域位于柵極兩側(cè)的襯底中；S2，在第一區(qū)域和第三區(qū)域中形成第一重?fù)诫s區(qū)，并去除位于第三區(qū)域中的部分第一重?fù)诫s區(qū)，第三區(qū)域中剩余的第一重?fù)诫s區(qū)構(gòu)成第一源區(qū)部，第一區(qū)域中的第一重?fù)诫s區(qū)構(gòu)成漏區(qū)，第二區(qū)域構(gòu)成溝道區(qū)；S3，在被去除的第三區(qū)域中形成第二重?fù)诫s區(qū)，第二重?fù)诫s區(qū)與第一源區(qū)部接觸，且第二重?fù)诫s區(qū)與第一重?fù)诫s區(qū)的摻雜類型相反；S4，去除第一源區(qū)部中與第二重?fù)诫s區(qū)接觸的部分以形成隔離區(qū)域，剩余的第一源區(qū)部構(gòu)成第二源區(qū)部，在隔離區(qū)域中形成分別與第二源區(qū)部和第二重?fù)诫s區(qū)接觸的金屬區(qū)域，第二源區(qū)部、金屬區(qū)域以及第二重?fù)诫s區(qū)構(gòu)成源區(qū)。

進(jìn)一步地，第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度獨(dú)立地選自10¹⁵～10²⁰。

進(jìn)一步地，沿第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域順次排列的方向上第二源區(qū)部的寬度為2～20nm。

進(jìn)一步地，沿第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域順次排列的方向上金屬區(qū)域的寬度為1～20nm。

進(jìn)一步地，形成金屬區(qū)域的材料選自Ag、Au和W中的任一種或多種。

進(jìn)一步地，襯底為SOI。

進(jìn)一步地，步驟S2包括以下步驟：S21，形成包裹柵極的第一側(cè)墻，并在位于第一側(cè)墻兩側(cè)的襯底中形成第一重?fù)诫s區(qū)；S22，將側(cè)墻材料包裹在第一側(cè)墻表面形成第二側(cè)墻，并形成覆蓋第二側(cè)墻和第一重?fù)诫s區(qū)的第一掩膜預(yù)備層；S23，刻蝕第一掩膜預(yù)備層中與第三區(qū)域接觸的部分，以使第三區(qū)域中的部分第一重?fù)诫s區(qū)的表面裸露，得到第一裸露表面，剩余的第一掩膜預(yù)備層構(gòu)成第一掩膜層；S24，從第一裸露表面開始刻蝕第一重?fù)诫s區(qū)，以得到漏區(qū)和第一源區(qū)部。

進(jìn)一步地，襯底為SOI，包括順序?qū)盈B的頂層硅、埋氧層和底層硅，在步驟S21中，在頂層硅中形成第一重?fù)诫s區(qū)；在步驟S22中，在襯底上沉積氮化硅以形成第一掩膜預(yù)備層；在步驟S24中，干法刻蝕第一重?fù)诫s區(qū)，以使埋氧層的部分表面裸露。