[發明專利]一種具有波浪緩沖區的GCT芯片

在審

• 申請號: 201811615523.1
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN109686784A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 劉佳鵬;曾嶸;周文鵬;趙彪;余占清;陳政宇
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/747
• 代理公司: 北京知聯天下知識產權代理事務所(普通合伙) 11594
• 代理人: 張陸軍;張迎新

1.一種具有波浪緩沖區的GCT芯片，包括引出陽極的p+發射極、與p+發射極貼合的n+緩沖層、與n+緩沖層相貼合的n基區、與n基區相貼合的p基區和與p基區相連接的n+發射極，其特征在于，

所述n+發射極遠離所述p基區的一側引出有陰極，所述p基區引出有兩個陰極門極結構，所述n+發射極與所述p基區的連接處形成J3結，所述n基區與所述p基區的連接處形成J2結，所述p+發射極與所述n+緩沖層的連接處形成J1結，所述n基區與所述n+緩沖層的交界處中部設置有波浪形結構，所述n+緩沖層為波浪形緩沖區；

所述波浪形結構的中部設置為平面結構，所述平面的兩端相互遠離延伸形成兩個的平滑曲面，所述平滑曲面遠離所述平面的一端與所述n基區與所述n+緩沖層的交界處重合。

2.根據權利要求1所述的具有波浪緩沖區的GCT芯片，其特征在于，所述J1結與所述J2結平行設置。

3.根據權利要求1所述的具有波浪緩沖區的GCT芯片，其特征在于，兩個所述平滑曲面關于所述波浪形結構中部平面的中線對稱設置。

4.根據權利要求1所述的具有波浪緩沖區的GCT芯片，其特征在于，所述波浪形結構中部的平面與所述J1結、J2結均平行設置。

5.根據權利要求1所述的具有波浪緩沖區的GCT芯片，其特征在于，所述波浪形結構中部的平面向所述n+緩沖層凸起，所述波浪形結構兩側的平滑曲面向所述n基區凹陷。

6.根據權利要求5所述的具有波浪緩沖區的GCT芯片，其特征在于，所述波浪形結構中部的平面凸起距離小于20um。

7.根據權利要求5所述的具有波浪緩沖區的GCT芯片，其特征在于，所述波浪形結構中部平面的中線與所述n+發射極在垂直方向的中線重合。

8.根據權利要求1所述的具有波浪緩沖區的GCT芯片，其特征在于，所述p+發射極側邊設置有n+短路點，所述波浪形結構中部平面的中線與所述p+發射極在垂直方向的中線重合。