[發(fā)明專利]太陽能供電服、太陽能電池組件的封裝方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811613862.6 | 申請日: | 2018-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN111403513A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳振省;黃旭 | 申請(專利權(quán))人: | 北京漢能光伏投資有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京尚倫律師事務(wù)所 11477 | 代理人: | 謝麗莎 |
| 地址: | 101499 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能 供電 太陽能電池 組件 封裝 方法 裝置 | ||
本發(fā)明是關(guān)于太陽能供電服、太陽能電池組件的封裝方法及裝置。太陽能電池組件包括:前板層、背板層,以及夾設(shè)在前板層和背板層之間的光能轉(zhuǎn)換芯片;封裝方法包括:在前板層中背離光能轉(zhuǎn)換芯片的一面敷設(shè)耐高溫麻點(diǎn)布;在背板層中背離光能轉(zhuǎn)換芯片的一面敷設(shè)隔熱布;將耐高溫麻點(diǎn)布、太陽能電池組件和隔熱布進(jìn)行層壓封裝工藝,以使前板層中背離光能轉(zhuǎn)換芯片的一面被壓出麻點(diǎn)效果;去除耐高溫麻點(diǎn)布和隔熱布得到一次封裝后的太陽能電池組件。通過上述的層壓封裝工藝后,前板層中背離光能轉(zhuǎn)換芯片的一面就會(huì)被壓出麻點(diǎn)效果,從而可以有效地保護(hù)太陽能電池組件的外觀,從而可以提升太陽能電池組件生產(chǎn)良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及新能源技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及太陽能供電服、太陽能電池組件的封裝方法及裝置。
背景技術(shù)
太陽能供電服是采用銅銦鎵硒(簡稱為:CIGS)薄膜太陽能電池將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的裝置。其中,如圖1所示,CIGS薄膜太陽能電池是將背板、膠膜、阻水膜、膠膜、芯片、膠膜、阻水膜、膠膜、前板結(jié)構(gòu)層壓到一起形成;進(jìn)一步的,如圖2所示,太陽能供電服所采用的材料是采用亞平面工藝將底布、膠膜、CIGS薄膜太陽能電池、膠膜和窗口布結(jié)構(gòu)層壓到一起形成。
薄膜太陽能電池中的前板主要采用乙烯-四氟乙烯共聚物(簡稱為:ETFE),雖然ETFE具有透光率高,耐候性能好等優(yōu)點(diǎn),但ETFE的強(qiáng)度不夠,而壓平面工藝容易在前板表面產(chǎn)生褶皺、凹坑、沙眼,且形成的前板表面具有易刮傷等缺點(diǎn),從而使得CIGS薄膜太陽能電池的外觀效果較差。
發(fā)明內(nèi)容
為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明實(shí)施例提供太陽能供電服、太陽能電池組件的封裝方法及裝置。所述技術(shù)方案如下:
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一方面,提供一種太陽能電池組件的封裝方法,所述太陽能電池組件包括:前板層、背板層,以及夾設(shè)在所述前板層和所述背板層之間的光能轉(zhuǎn)換芯片;所述封裝方法包括:
在所述前板層中背離所述光能轉(zhuǎn)換芯片的一面敷設(shè)耐高溫麻點(diǎn)布;
在所述背板層中背離所述光能轉(zhuǎn)換芯片的一面敷設(shè)隔熱布;
將所述耐高溫麻點(diǎn)布、所述太陽能電池組件和所述隔熱布進(jìn)行層壓封裝工藝,以使所述前板層中背離所述光能轉(zhuǎn)換芯片的一面被壓出麻點(diǎn)效果;
去除所述耐高溫麻點(diǎn)布和所述隔熱布得到一次封裝后的太陽能電池組件。
通過上述的層壓封裝工藝后,由于耐高溫麻點(diǎn)布上布設(shè)了麻點(diǎn),所以此時(shí)前板層中背離光能轉(zhuǎn)換芯片的一面就會(huì)被壓出麻點(diǎn)效果,這樣,即使后期采用壓平面工藝容易在前板表面產(chǎn)生褶皺、凹坑、沙眼時(shí),也不會(huì)影響太陽能電池組件的外觀效果,且這樣的麻點(diǎn)效果的前板表面雖然具有易刮傷的缺點(diǎn),但由于麻點(diǎn)效果的存在,即使刮傷,也不會(huì)影響太陽能電池組件的外觀效果,從而可以提升太陽能電池組件生產(chǎn)良率,以及提高太陽能電池組件的手感和質(zhì)感。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述將所述耐高溫麻點(diǎn)布、所述太陽能電池組件和所述隔熱布進(jìn)行層壓封裝工藝,包括:
獲取層壓機(jī)的第一層壓參數(shù);所述第一層壓參數(shù)至少包括以下參數(shù):第一抽真空時(shí)間、第一熱壓時(shí)間、第一熱壓壓力、第一冷壓時(shí)間和第一冷壓壓力;
控制所述層壓機(jī)根據(jù)所述第一層壓參數(shù)將所述耐高溫麻點(diǎn)布、所述太陽能電池組件和所述隔熱布進(jìn)行層壓封裝工藝。
在一個(gè)實(shí)施例中,
所述第一抽真空時(shí)間為小于或等于5分鐘且大于或等于30秒;
所述第一熱壓時(shí)間小于或等于20分鐘;
所述第一熱壓壓力小于或等于0千帕且大于或等于-70千帕;
所述第一冷壓時(shí)間小于或等于20分鐘;
所述第一冷壓壓力大于或等于0.1兆帕。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





