[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811612795.6
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN109975925B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設計）人: 中柴康隆;綿貫真一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;G02B6/13
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝;董典紅

本申請涉及半導體器件及其制造方法。一體形成了與微型光學器件形成在同一層上的光波導和尺寸大不相同的光斑尺寸轉換器。半導體器件具有用作光斑尺寸轉換器的光波導部分。光波導部分包括在厚度方向上穿透層間絕緣層的多個光波導本體。

相關申請的交叉引用

2017年12月27日提交的日本專利申請No.2017-250943的公開內容，包括說明書、附圖和摘要，通過引用整體并入本文。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體器件及其制造技術。涉及例如可有效地應用于包括光波導的半導體器件的技術及其制造技術。

背景技術

日本未審查專利申請公開No.2004-133446(專利文獻1)描述了關于例如能夠減小與光纖的耦合損耗的光斑尺寸轉換器的技術。

引用文獻

專利文獻

[專利文獻1]日本未審查專利申請公開No.2004-133446

發(fā)明內容

例如，當來自外部的第二光波導的發(fā)射光直接入射到與光調制器等形成在同一層的第一光波導上時，通過第一光波導傳播的光的光斑尺寸和通過第二光波導傳播的光的光斑尺寸之間的差異可能導致光損耗。因此，為了以低損耗在第一光波導和第二光波導之間引入光，存在提供用于在第一光波導和第二光波導之間轉換光的光斑尺寸的光斑尺寸轉換器的技術。這里，例如，已經對第一光波導和光斑尺寸轉換器的一體形成進行了研究。

在這方面，本發(fā)明人的研究表明，例如，當光斑尺寸轉換器和與光調制器等在同一層形成的第一光波導一體形成時，用于由于光調制器等的尺寸和光斑尺寸轉換器的尺寸之間的較大差異而引起的新穎改進的空間變得明顯。

根據(jù)本說明書的描述和附圖，其他問題和新穎特征將是顯而易見的。

在一個實施例中的半導體器件具有用作光斑尺寸轉換器的光波導部分。光波導部分包括在厚度方向上穿透層間絕緣層的多個光波導本體。

根據(jù)一個實施例，可以增強具有光斑尺寸轉換器的半導體器件的可靠性。

附圖說明

圖1是示出現(xiàn)有技術的包括光斑尺寸轉換器的半導體芯片的示意性局部配置的平面圖。

圖2是沿圖1中A-A線的截面圖。

圖3是示出包括第一實施例的光斑尺寸轉換器的半導體器件的概略配置的平面圖。

圖4是沿圖3中的A-A線的半導體器件的截面圖。

圖5是概略地示出第二實施例的半導體器件的配置的截面圖。

圖6是示出在第二實施例的制造步驟中的半導體器件的截面圖。

圖7是示出在圖6之后的制造步驟中的半導體器件的截面圖。

圖8是示出在圖7之后的制造步驟中的半導體器件的截面圖。

圖9是示出在圖8之后的制造步驟中的半導體器件的截面圖。

圖10是示出在圖9之后的制造步驟中的半導體器件的截面圖。

圖11是示出在圖10之后的制造步驟中的半導體器件的截面圖。

圖12是示出在圖11之后的制造步驟中的半導體器件的截面圖。

圖13是示出在圖12之后的制造步驟中的半導體器件的截面圖。

圖14是示出在圖13之后的制造步驟中的半導體器件的截面圖。

圖15是示出在圖14之后的制造步驟中的半導體器件的截面圖。