[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201811612795.6
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN109975925B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 中柴康隆;綿貫真一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;G02B6/13
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝;董典紅

1.一種半導體器件，包括：

絕緣層；

光波導，形成在所述絕緣層上方；

第一層間絕緣層，以覆蓋所述光波導的方式形成在所述絕緣層上方；

第二層間絕緣層，形成在所述第一層間絕緣層上方；以及

光波導部分，具有：沿厚度方向穿透所述第一層間絕緣層并彼此分離的多個第一光波導本體，以及沿厚度方向穿透所述第二層間絕緣層并彼此分離的多個第二光波導本體，所述光波導部分的一端被布置成覆蓋所述光波導的一端，并且所述光波導部分的另一端包括用于接收外部光且能夠通過其傳播光的光接收表面，

其中所述多個第一光波導本體中的一個第一光波導本體在平面圖中與所述光波導重疊，并且

其中所述多個第一光波導本體中的另一個第一光波導本體在與所述光波導的延伸方向垂直并沿著所述絕緣層的主表面的方向上、與所述多個第一光波導本體中的所述一個第一光波導本體鄰近，而未在所述平面圖中與所述光波導重疊。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一光波導本體的相互鄰近的兩個第一光波導本體之間的間隔小于通過所述光波導部分傳播的光從所述第一光波導本體朝向所述第一層間絕緣層的滲透距離，以及

其中，所述第二光波導本體的相互鄰近的兩個第二光波導本體之間的間隔小于通過所述光波導部分傳播的光從所述第二光波導本體朝向所述第二層間絕緣層的滲透距離。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述光波導的一端的末端位于所述光波導部分的一端和所述光波導部分的另一端之間。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一光波導本體的每個立體形狀是柱狀，以及

其中，所述第二光波導本體的每個立體形狀是柱狀。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，

其中，所述多個第一光波導本體在所述光波導部分中的光傳播方向的第一方向上以第一間距布置，并且所述多個第一光波導本體在第二方向上也以所述第一間距布置，所述第二方向與所述第一方向以及所述多個第一光波導本體中的每個第一光波導本體的高度方向中的每一者正交，以及

其中，所述多個第二光波導本體在所述第一方向上以所述第一間距布置，并且所述多個第二光波導本體在所述第二方向上也以所述第一間距布置。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，

其中，所述多個第一光波導本體在所述光波導部分中的光傳播方向的第一方向上以第一間距布置，并且所述多個第一光波導本體在第二方向上以與所述第一間距不同的第二間距布置，所述第二方向與所述第一方向以及所述多個第一光波導本體中的每個第一光波導本體的高度方向中的每一者正交，以及

其中，所述多個第二光波導本體也在所述第一方向上以所述第一間距布置，并且所述多個第二光波導本體在所述第二方向上以與所述第一間距不同的第二間距布置。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一光波導本體的每個立體形狀是片狀，以及

其中，所述第二光波導本體的每個立體形狀是片狀。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，

其中，所述多個第一光波導本體在第二方向上并排布置，所述第二方向與所述光波導部分中的光傳播方向的第一方向、以及所述多個第一光波導本體中的每個第一光波導本體的高度方向中的每一者正交，以及

其中，所述多個第二光波導本體也在所述第二方向上并排布置。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，布置在距所述第一光波導本體的所述光波導部分的所述另一端最遠位置處的所述第一光波導本體與所述光波導部分的所述另一端之間的距離大于布置在距所述第二光波導本體的所述光波導部分的所述另一端最遠位置處的所述第二光波導本體與所述光波導部分的所述另一端之間的距離。