[發明專利]一種TD-LTE基站電磁輻射預測方法

有效

• 申請號: 201811611452.8
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN109547123B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 楊萬春;周康富
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: H04B17/10
• 分類號: H04B17/10;H04L12/24;H04W24/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種TD?LTE基站電磁輻射預測方法，該方法根據實際TD?LTE基站系統的幀結構，得到基站上下行配比中的下行配比，結合基站系統網絡負荷比例、基站單通道發射功率、智能天線效率、基站通道數以及基站載波數，得到天線端口實際發射功率，從而得到不同預測點位的TD?LTE基站電磁輻射強度。本發明提出了一種新的TD?LTE基站電磁輻射預測方法，該方法對TD?LTE基站電磁輻射預測有著很大的參考價值。

技術領域

本發明涉及一種TD-LTE基站電磁輻射預測方法。

背景技術

隨著通信事業的快速發展，移動通信已經滲透到社會生活各個方面，給人們帶來極大的便利，也使人們對移動通信基站的電磁輻射問題產生焦慮，通信基站的電磁輻射與基站天線的發射功率、增益、損耗以及基站系統的配置結構等參數相關，而且基站廠家給出的功率不是天線端口實際發射功率，如果不考慮這些因素，很難對基站電磁輻射進行有效的預測，在目前已公開的文獻和專利中，還沒有針對天線端口實際發射功率的一種TD-LTE(Time Division Long Term Evolution)基站電磁輻射預測方法。

針對現有技術中存在的不足，本專利提出了一種TD-LTE基站電磁輻射預測方法，該方法根據實際TD-LTE基站系統的幀結構，得到基站上下行配比中的下行配比，結合基站系統網絡負荷比例、基站單通道發射功率、智能天線效率、基站通道數以及基站載波數，得到天線端口實際發射功率，從而得到不同預測點位的TD-LTE基站電磁輻射強度。通過本發明提出的預測方法，對TD-LTE基站電磁輻射預測有著很大的參考價值。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供一種TD-LTE基站電磁輻射預測方法，包括以下步驟：

1)、根據TD-LTE基站系統的幀結構，得到基站上下行配比中的下行比例A；

2)、通過步驟1)得到的下行比例A，并結合基站系統網絡負荷比例、基站單通道發射功率、智能天線效率、基站通道數以及基站載波數，得到天線端口實際發射功率P，單位為dBm；

3)、根據步驟2)得到的天線端口實際發射功率P，得到不同預測點位的TD-LTE基站電磁輻射強度S，單位為μW/cm²。

上述的一種TD-LTE基站電磁輻射預測方法，所述步驟1)中，基站上下行配比中的下行比例A的表達式為：

上式中，A為基站上下行配比中的下行比例，a為下行子幀所占比例，b為特殊子幀所占比例，c為下行導頻時隙長度，單位為ms，d為特殊子幀長度，單位為ms。

上述的一種TD-LTE基站電磁輻射預測方法，所述步驟2)中，天線端口實際發射功率P的表達式為：

P＝10×(log₁₀(P₁×A×B×η×n×m)+3)

上式中，P為天線端口實際發射功率，單位為dBm，P₁為單通道發射功率，單位為W，A為基站上下行配比中的下行比例，B為基站系統網絡負荷比例，η為智能天線效率，n為基站通道數，單位為個，m為基站載波數，單位為個。

上述的一種TD-LTE基站電磁輻射預測方法，所述步驟3)中，根據步驟2)得到的天線端口實際發射功率P，得到不同預測點位的TD-LTE基站電磁輻射強度S的表達式為：

上式中，S為TD-LTE基站電磁輻射強度，單位為μW/cm²，P為天線端口實際發射功率，單位為dBm，G為天線增益，單位為dBi，L為天線系統損耗，單位為dB，r為在天線軸向上測量位置與天線的距離，單位為m。