[發明專利]一種TD-LTE基站電磁輻射預測方法

有效

• 申請號: 201811611452.8
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN109547123B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 楊萬春;周康富
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: H04B17/10
• 分類號: H04B17/10;H04L12/24;H04W24/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種TD-LTE基站電磁輻射預測方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)、根據TD-LTE基站系統的幀結構，得到基站上下行配比中的下行比例A：

上式中，A為基站上下行配比中的下行比例，a為下行子幀所占比例，b為特殊子幀所占比例，c為下行導頻時隙長度，單位為ms，d為特殊子幀長度，單位為ms；

2)、通過步驟1)得到的下行比例A，并結合基站系統網絡負荷比例、基站單通道發射功率、智能天線效率、基站通道數以及基站載波數，得到天線端口實際發射功率P：

P＝10×(log₁₀(P₁×A×B×η×n×m)+3)

上式中，P為天線端口實際發射功率，單位為dBm，P₁為單通道發射功率，單位為W，A為基站上下行配比中的下行比例，B為基站系統網絡負荷比例，η為智能天線效率，n為基站通道數，單位為個，m為基站載波數，單位為個；

3)、根據步驟2)得到的天線端口實際發射功率P，得到不同預測點位的TD-LTE基站電磁輻射強度S：

上式中，S為TD-LTE基站電磁輻射強度，單位為μW/cm²，P為天線端口實際發射功率，單位為dBm，G為天線增益，單位為dBi，L為天線系統損耗，單位為dB，r為在天線軸向上測量位置與天線的距離，單位為m。