[發明專利]一種柔性CIGS薄膜太陽能電池用背電極在審
| 申請號: | 201811611244.8 | 申請日: | 2018-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN109473494A | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發明(設計)人: | 彭壽;馬立云;姚婷婷;李剛;彭賽奧;金克武;王天齊;沈洪雪;楊揚;甘治平 | 申請(專利權)人: | 中建材蚌埠玻璃工業設計研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0445 |
| 代理公司: | 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113 | 代理人: | 陳俊 |
| 地址: | 233010 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背電極 膜層 防腐蝕膜層 合金膜層 金屬膜層 柔性基底 基底 降阻 薄膜 便于攜帶 低電阻率 歐姆接觸 依次層疊 不變形 抗腐蝕 可彎曲 吸收層 頂面 硒化 附著 擴散 | ||
本發明公開一種柔性CIGS薄膜太陽能電池用背電極,包括柔性基底,柔性基底頂面由下至上依次層疊有合金膜層、ZnAl膜層、降阻金屬膜層、防腐蝕膜層與Mo膜層;所述合金膜層為CuAl、CuZn、TiAl或TiCu薄膜;所述降阻金屬膜層為Ti、Al、Ag或Cu膜層;所述防腐蝕膜層為MoN、MoO、Al2O3、TiN或TiON膜層;該背電極具有質量輕、可彎曲、便于攜帶、后期高溫硒化不變形、抗腐蝕、低電阻率、薄膜應力小等優點,且與基底附著強度高,能夠避免基底中Na+向吸收層的擴散且與CIGS有良好的歐姆接觸。
技術領域
本發明涉及薄膜太陽能電池技術領域,具體是一種柔性CIGS薄膜太陽能電池用背電極。
背景技術
目前銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池正迅速發展,但多數為玻璃基底,柔性CIGS薄膜太陽能電池剛剛開始,由于其質量輕,可折疊,可彎曲,便于攜帶,因此可以采用環繞式濺射沉積,有利于實現大規模生產,且顯著的降低成本,可大量應用于便攜式應急充電背包,光伏帳篷,光伏窗簾,光伏屋頂,太陽能汽車等具有廣闊的應用空間,提高柔性CIGS薄膜太陽能電池效率及壽命有利于我國光伏產業的持續健康發展。
傳統薄膜太陽能電池的背電極為Si3N4+Mo復合膜的結構,由于傳統Mo背電極中Mo膜較厚,導致薄膜應力大,與基板附著強度較低,且Mo膜制備成本較高。
發明內容
本發明的目的在于提供一種柔性CIGS薄膜太陽能電池用背電極,該背電極具有質量輕、可彎曲、便于攜帶、后期高溫硒化不變形、抗腐蝕、低電阻率、薄膜應力小等優點,且與基底附著強度高,能夠避免基底中Na+向吸收層的擴散且與CIGS有良好的歐姆接觸。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種柔性CIGS薄膜太陽能電池用背電極,包括柔性基底,柔性基底頂面由下至上依次層疊有合金膜層、ZnAl膜層、降阻金屬膜層、防腐蝕膜層與Mo膜層;所述合金膜層為CuAl、CuZn、TiAl或TiCu薄膜;所述降阻金屬膜層為Ti、Al、Ag或Cu膜層;所述防腐蝕膜層為MoN、MoO、Al2O3、TiN或TiON膜層;
所述合金膜層的厚度為60~120nm、ZnAl膜層的厚度為40~80nm、降阻金屬膜層的厚度為20~40nm、防腐蝕膜層的厚度為15~60nm、Mo膜層的厚度為55~75nm。
進一步的,所述柔性基底采用聚合物基板或金屬柔性基板。
本發明的有益效果是:
一、采用聚合物基板或金屬柔性基板作為柔性基底,質量輕,可折疊,可彎曲,便于攜帶,因此可以采用環繞式濺射沉積,有利于實現大規模生產,且顯著的降低成本。
二、背電極采用多層膜結構,合金膜層以及降阻膜層的加入可以有效提高背電極導電性能。
三、 ZnAl膜層使合金膜層至降阻膜層有較好的結合力,減小整體背電極的薄膜內應力。
四、降阻膜層可相對降低ZnAl膜層至防腐蝕膜層的電阻率,防腐蝕膜層能夠防止后期硒化過程中硒對合金膜層的腐蝕。
五、Mo膜層使得硒與Mo反應適量并可控,并與作為吸收層的CIGS薄膜形成良好的歐姆接觸,有益CIGS薄膜太陽能電池效率的提高。
六、背電極減少了阻擋層和Mo的層數,并降低了Mo的厚度,背電極整體厚度降低,成本降低。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明:
圖1是本發明的結構示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





