[發(fā)明專利]集成電路的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811607328.4
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN109698121A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陸連;朱軼錚
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/762;H01L29/423
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種集成電路的制造方法，其特征在于，

在淀積完結(jié)構(gòu)層后，在該結(jié)構(gòu)層上涂上有機涂層材料，形成有機涂層材料層；

在刻蝕時，用經(jīng)過刻蝕形成圖案的有機涂層材料層作為掩模對該結(jié)構(gòu)層進行刻蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該有機涂層材料為耐高溫富碳涂層材料、低溫富碳涂層材料或光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該結(jié)構(gòu)層表面有臺階。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該結(jié)構(gòu)層位于有源區(qū)和隔離區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該有機涂層材料層上表面為平面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5之一所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該有機涂層材料層的厚度為

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一所述的集成電路的制造方法，其特征在于，在該有機涂層材料層上淀積無氮介質(zhì)抗反射層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該無氮介質(zhì)抗反射層的厚度為

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的集成電路的制造方法，其特征在于，在該無氮介質(zhì)抗反射層上涂上底部抗反射層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該底部抗反射層的厚度為

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的集成電路的制造方法，其特征在于，在該底部抗反射層上涂布光刻膠。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該光刻膠的厚度為

13.根據(jù)權(quán)利要求1-12之一所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該結(jié)構(gòu)層包括多晶硅層、氮化硅層、氧化硅層，該集成電路包含一柵氧化層，在該柵氧化層上依次淀積多晶硅、氮化硅、氧化硅。

14.一種集成電路的制造方法，其特征在于，包括：

步驟S1，在隔離區(qū)與有源區(qū)上依次淀積上多晶硅、氮化硅、氧化硅，涂上有機涂層材料層，淀積無氮介質(zhì)抗反射層，涂上底部抗反射層，涂布光刻膠，對光刻膠進行露光顯影；

步驟S2，在步驟S1的基礎(chǔ)上以光刻膠為掩膜進行底部抗反射層的刻蝕；

步驟S3，在步驟S2的基礎(chǔ)上以光刻膠為掩膜進行無氮介質(zhì)抗反射層的刻蝕；

步驟S4，在步驟S3的基礎(chǔ)上以無氮介質(zhì)抗反射層為掩膜進行有機涂層材料層的刻蝕；

步驟S5，在步驟S4的基礎(chǔ)上以有機涂層材料層為掩膜進行氧化硅層刻蝕；

步驟S6，在步驟S5的基礎(chǔ)上以有機涂層材料層為掩膜進行氮化硅層刻蝕；

步驟S7，在步驟S6的基礎(chǔ)上去有機涂層材料層；

步驟S8，在步驟S7的基礎(chǔ)上對該集成電路的柵極進行切割，進行該多晶硅刻蝕，并得到集成電路該柵極的形貌。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路的制造方法，其特征在于，該步驟S1前還包括步驟S0，在襯底材料上生長或淀積一柵氧化層。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路的制造方法，其特征在于，步驟S4中的刻蝕條件為系統(tǒng)真空度要求為10mTorr～300mTorr，采用氧氣、二氧化硫、氮氣或氫氣，信號源的輸出功率為200W～1500W。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路的制造方法，其特征在于，步驟S1包括步驟S11，對光刻膠進行烘干。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路的制造方法，其特征在于，步驟S3包括步驟S31，去除光刻膠和底部抗反射層。