[發明專利]半導體器件隔離側墻制造方法在審
| 申請號： | 201811607276.0 | 申請日： | 2018-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN109686665A | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發明（設計）人： | 任佳;韓朋剛;孫文彥;康天晨 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦東新區中國（上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 隔離側墻 犧牲層 刻蝕 形貌 側墻 半導體器件 去除 制造 半導體隔離 覆蓋隔離 器件隔離 器件性能 非對稱 均一性 下層 制作 | ||
1.一種半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)制作半導體隔離側墻(spacer)；
2)制作犧牲層覆蓋隔離側墻(spacer)
3)進行第一次犧牲層刻蝕去除部分犧牲層；
4)進行隔離側墻刻蝕形成設計形貌的隔離側墻(spacer)；
5)進行第二次犧牲層刻蝕去除全部犧牲層。
2.如權利要求1所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述半導體器件是NAND flash。
3.如權利要求2所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述半導體器件是2X NAND flash。
4.如權利要求3所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述犧牲層是有機介電層(organic dielectric layer,ODL)或旋涂碳(spin on carbon，S0C)。
5.如權利要求1所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述第一次犧牲層刻蝕將犧牲層刻蝕至隔離側墻非對稱形貌起始位置。
6.如權利要求5所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述第一次犧牲層刻蝕采用干法刻蝕。
7.如權利要求6所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述第一次犧牲層刻蝕采用氮氣(N2)、氫氣(H2)、二氧化硫(SO2)或氧氣(O2)。
8.如權利要求1所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述設計形貌是方形隔離側墻圖形形貌。
9.如權利要求5所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述隔離側墻刻蝕將剩余犧牲層以上的隔離側墻刻蝕去除。
10.如權利要求9所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述隔離側墻刻蝕采用干法刻蝕。
11.如權利要求10所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述隔離側墻刻蝕采用氟碳化合物(CxHy)氣體或氟代烴基化合物氣體(CxHyFz)作為基氣。
12.如權利要求1所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述第二次刻蝕采用干法刻蝕。
13.如權利要求12所述的半導體器件隔離側墻制造方法，其特征在于：所述第二次刻蝕采用氮氣(N2)、氫氣(H2)、二氧化硫(SO2)或氧氣(O2)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
