[發明專利]一種用于磷酸機臺溫度控制的管路設備有效
| 申請號: | 201811607210.1 | 申請日: | 2018-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN109698148B | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發明(設計)人: | 馮宇培;侯宗武;劉厥揚 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;F17D1/08;F17D3/01 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 磷酸 機臺 溫度 控制 管路 設備 | ||
本發明提供一種用于磷酸機臺溫度控制的管路設備,直供槽的第一進液口與第一緩沖槽的出液口連接;直供槽的出液口與其第二進液口連接構成主循環回路,該回路中連接有數個作業腔;作業腔連接有第一、第二開關閥;第一開關閥連接一排放口;第二開關閥與回收槽的進液口連接;第二緩沖槽;回收槽出液口與第二緩沖槽進液口連接;第二緩沖槽出液口連接于第一緩沖槽出液口與直供槽的第一進液口之間的管路;第二緩沖槽出液口與直供槽的第一進液口之間的管路上設有冷卻裝置。本發明通過在第二緩沖槽與直供槽之間的管路上增加冷卻裝置,降低磷酸進直供槽的初始溫度,減少緩沖槽與直供槽之間的溫度差,有效的控制了直供槽中磷酸的溫度,報警概率降低。
技術領域
本發明涉及一種半導體制造設備,特別是涉及一種用于磷酸機臺溫度控制的管路設備。
背景技術
如圖1所示,圖1顯示為現有技術中的磷酸機臺藥液循環裝置示意圖。該裝置中包含:具有進液口和出液口的第一緩沖槽6;具有第一、第二進液口及出液口的直供槽9;所述第一緩沖槽6的進液口和出液口分別連接有管路;所述直供槽9的第一進液口通過管路與所述第一緩沖槽6的出液口連接;所述直供槽9的出液口通過管路與其第二進液口連接構成主循環回路10,該主循環回路10的管路中連接有數個作業腔5;所述作業腔5連接有第一、第二開關閥4;所述第一開關閥4連接一排放口11;設有進液口和出液口的回收槽8;所述第二開關閥4通過管路與所述回收槽8的進液口連接;具有進液口和出液口的第二緩沖槽7;所述回收槽8的出液口通過管路與所述第二緩沖槽7的進液口連接;所述第二緩沖槽7的出液口連接于所述第一緩沖槽6的出液口與所述直供槽9的第一進液口之間的管路。緩沖槽中的H3PO4通過管路自然冷卻進入藥液直供槽,再在藥液直供槽進行再度控溫,達到工藝溫度。目前藥液直供槽負責工藝溫度在142℃,磷酸藥液緩沖槽中的H3PO4為163℃,中間有20℃的差距。一旦機臺持續作業,很容易因為H3PO4使用量過大,磷酸藥液緩沖槽供入藥液直供槽的磷酸過快,導致溫度控制不佳,超出設定值,發生報警。此時,機臺連續作業停止,重新控溫后,再繼續作業,增加工藝風險,也降低制品流通速度。
因此,需要提出一種新的裝置來解決上述問題。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種用于磷酸機臺溫度控制的管路設備,用于解決現有技術中由于機臺持續作業,H3PO4使用量過大,磷酸藥液緩沖槽供入藥液直供槽的磷酸過快,導致溫度控制不佳,超出設定值,發生報警。機臺重新控溫后,增加工藝風險,降低制品流通速度的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種用于磷酸機臺溫度控制的管路設備,該設備至少包括:具有進液口和出液口的第一緩沖槽;具有第一、第二進液口及出液口的直供槽;所述第一緩沖槽的進液口和出液口分別連接有管路;所述直供槽的第一進液口通過管路與所述第一緩沖槽的出液口連接;所述直供槽的出液口通過管路與其第二進液口連接構成主循環回路,該主循環回路的管路中連接有數個作業腔;所述作業腔連接有第一、第二開關閥;所述第一開關閥連接一排放口;設有進液口和出液口的回收槽;所述第二開關閥通過管路與所述回收槽的進液口連接;具有進液口和出液口的第二緩沖槽;所述回收槽的出液口通過管路與所述第二緩沖槽的進液口連接;所述第二緩沖槽的出液口連接于所述第一緩沖槽的出液口與所述直供槽的第一進液口之間的管路;所述第二緩沖槽的出液口與所述直供槽的第一進液口之間的管路上設有冷卻裝置。
優選地,所述管路中具有磷酸。
優選地,所述主循環回路的管路中連接有4個所述作業腔。
優選地,所述冷卻裝置包括冷凝管和與該冷凝管的兩端分別連接的進液口和出液口。
優選地,所述冷凝管套設于所述第二緩沖槽的出液口與所述直供槽的第一進液口之間的管路外圍。
優選地,所述冷卻裝置中具有去離子水。
優選地,所述去離子水在所述冷凝管一端的進液口中的溫度為25攝氏度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





