[發(fā)明專利]耐高溫糙皮側(cè)耳菌及其篩選方法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811604527.X | 申請日： | 2018-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN109837217B | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孟昭暉 | 申請（專利權(quán)）人： | 弘恒泰（天津）科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號： | C12N1/14 | 分類號： | C12N1/14;C12N1/02;C12P19/04;C12R1/645 |
| 代理公司： | 天津創(chuàng)智天誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300000 天津市濱海新區(qū)天津自貿(mào)區(qū)（東疆*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 耐高溫 側(cè)耳 及其 篩選 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌及其篩選方法和應(yīng)用，該耐高溫糙皮側(cè)耳菌保藏號為CGMCC：16378，具有較好的耐高溫能力，在30?35℃下培養(yǎng)生長良好。耐高溫糙皮側(cè)耳菌的發(fā)酵液中含有豐富的多糖，這些多糖對.OH自由基和O2?.自由基具有較強的清除能力，另外，耐高溫糙皮側(cè)耳菌也可作為可食用菌株使用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于糙皮側(cè)耳技術(shù)領(lǐng)域，具體來說涉及一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌及其篩選方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)
糙皮側(cè)耳菌(Pleurotus ostreatus)，屬擔(dān)子菌亞門，側(cè)耳科側(cè)耳屬，在我國廣泛分布于河北、山東、山西、湖南、湖北、黑龍江、遼寧、四川、貴州等地區(qū)，是一種食用菌。糙皮側(cè)耳菌子實體肉質(zhì)肥嫩，味道鮮美，營養(yǎng)豐富，是一種高蛋白、低脂肪的食品。糙皮側(cè)耳菌不僅營養(yǎng)價值高，而且具有一定的食療價值，糙皮側(cè)耳菌子實體能夠降低血脂和膽固醇，其多糖不僅有抗腫瘤活性，還可以清除自由基，起到抗氧化作用。目前，一些地區(qū)(如湖南、四川等)由于夏季溫度過高，缺乏優(yōu)良的高溫型糙皮側(cè)耳菌菌種，導(dǎo)致夏季市場上糙皮側(cè)耳菌數(shù)量緊缺，且品質(zhì)不好，因此，高溫型糙皮側(cè)耳菌株的篩選具有一定的研究價值。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌。
本發(fā)明的另一目的是提供一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌的篩選方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌的出菇方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌的發(fā)酵方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌獲得胞外粗多糖的方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌獲得的胞外粗多糖在清除O2-.自由基中的應(yīng)用。
本發(fā)明的另一目的是提供一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌獲得的胞外粗多糖在清除.OH自由基中的應(yīng)用。
本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案予以實現(xiàn)的。
一種耐高溫糙皮側(cè)耳菌，該耐高溫糙皮側(cè)耳菌于2018年10月18日保藏于中國微生物菌種保藏管理委員會普通微生物中心(CGMCC)，保藏號為CGMCC：16378，分類命名為糙皮側(cè)耳Pleurotus ostreatus。
在上述技術(shù)方案中，將耐高溫糙皮側(cè)耳菌的1片菌絲體放置在PDA培養(yǎng)基上，于30-35℃黑暗條件下生長10-15天，形成的菌落直徑為78～82mm，菌絲呈白色，氣生菌絲背面呈淺褐色。
上述耐高溫糙皮側(cè)耳菌的篩選方法，包括以下步驟：
步驟1之前，將平菇切成小塊組織，得到多塊蘑菇組織；
所述蘑菇組織的體積為0.3-0.6cm3。
在將平菇切成小塊組織之前，對所述平菇進行表面消毒，所述表面消毒的方法為：用體積濃度為70-75％的乙醇水溶液浸泡90-120s，再用無菌水沖洗4-5遍。
步驟1，將平菇的蘑菇組織放置于篩選培養(yǎng)基上，再將所述篩選培養(yǎng)基于25-28℃恒溫培養(yǎng)5-8天，使蘑菇組織長出菌絲，當(dāng)形成直徑1-1.5cm的菌落時，從所述菌落的邊緣挑取菌絲，用液態(tài)的PDA培養(yǎng)基進行倍比稀釋，得到第一稀釋液，取所述第一稀釋液涂布在篩選培養(yǎng)基上，25-28℃恒溫培養(yǎng)至形成直徑0.5-1cm的菌落，再進行純培養(yǎng)，純培養(yǎng)后獲得純化后菌株的菌落；
在所述步驟1中，所述篩選培養(yǎng)基為PDA培養(yǎng)基。
在所述步驟1中，當(dāng)蘑菇組織放置于篩選培養(yǎng)基上時，所述蘑菇組織的切面面向所述篩選培養(yǎng)基。
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