[發(fā)明專利]攝像組件的封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811604451.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111370331B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦曉珊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L25/16;H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高靜;李麗 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 攝像 組件 封裝 方法 | ||
1.一種攝像組件的封裝方法,其特征在于,包括:
提供承載基板,所述承載基板上形成有再布線結(jié)構(gòu)且所述承載基板上設(shè)置有感光單元,所述感光單元包括感光芯片和貼裝在所述感光芯片上的濾光片,所述濾光片臨時(shí)鍵合于所述承載基板上,且所述感光芯片具有面向所述濾光片的焊墊,所述再布線結(jié)構(gòu)上設(shè)置有具有焊墊的功能元件,其中,所述感光芯片的焊墊和所述功能元件的焊墊均面向所述再布線結(jié)構(gòu)且電連接所述再布線結(jié)構(gòu),所述感光芯片和功能元件露出的區(qū)域?yàn)樗芊鈪^(qū);
進(jìn)行選擇性噴涂處理,向所述塑封區(qū)噴灑塑封料,且對(duì)所述塑封料進(jìn)行固化處理,形成位于所述塑封區(qū)的塑封層,所述塑封層覆蓋所述承載基板,且覆蓋所述感光芯片和功能元件的側(cè)壁;
去除所述承載基板。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述選擇性噴涂處理的步驟包括:提供可移動(dòng)的噴頭;采用所述噴頭在所述承載基板上方移動(dòng),當(dāng)所述噴頭移動(dòng)經(jīng)過(guò)所述塑封區(qū)上方時(shí),所述噴頭向所述塑封區(qū)噴灑塑封料。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝方法,其特征在于,所述噴頭移動(dòng)經(jīng)過(guò)同一塑封區(qū)上方至少兩次,以形成所述塑封層;且所述噴頭前一次移動(dòng)經(jīng)過(guò)所述塑封區(qū)上方時(shí)的移動(dòng)路徑具有第一方向,所述噴頭后一次移動(dòng)經(jīng)過(guò)同一塑封區(qū)上方時(shí)的移動(dòng)路徑具有第二方向,所述第二方向與第一方向不同。
4.如權(quán)利要求2或3所述的封裝方法,其特征在于,所述感光單元和功能元件在所述承載基板上的排列方向?yàn)閄方向,平行于所述承載基板表面且與所述X方向相垂直的方向?yàn)閅方向;所述噴頭的移動(dòng)路徑具有的方向包括:+X方向、-X方向、+Y方向和-Y方向中的一種或多種。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝方法,其特征在于,所述噴頭的移動(dòng)路徑具有的方向還包括:與X方向呈45°的傾斜方向或者與Y方向呈45°的傾斜方向。
6.如權(quán)利要求2所述的封裝方法,其特征在于,在進(jìn)行所述選擇性噴涂處理之前,獲取所述塑封區(qū)的位置信息;基于獲取的所述位置信息,進(jìn)行所述選擇性噴涂處理。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,獲取所述塑封區(qū)的位置信息的步驟包括:基于預(yù)設(shè)位置信息將所述感光單元和功能元件置于所述承載基板上方,將所述預(yù)設(shè)位置信息作為所述塑封區(qū)的位置信息;
或者,將所述感光單元和功能元件置于所述承載基板上方后,對(duì)所述承載基板表面進(jìn)行光照射,采集經(jīng)所述承載基板表面反射的光信息,獲取所述塑封區(qū)的位置信息。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,基于獲取的所述位置信息,進(jìn)行所述選擇性噴涂處理的步驟包括:所述噴頭在所述承載基板上方移動(dòng)的同時(shí),即時(shí)獲取所述噴頭在所述承載基板上的實(shí)時(shí)位置;基于所述實(shí)時(shí)位置和獲取的位置信息,控制所述噴頭在所述承載基板上移動(dòng)的過(guò)程中向所述塑封區(qū)噴灑塑封料。
9.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述選擇性噴涂處理的步驟包括:提供噴頭和可移動(dòng)載臺(tái);
將所述承載基板置于所述可移動(dòng)載臺(tái)上,使所述承載基板在噴頭下方移動(dòng),當(dāng)所述塑封區(qū)移動(dòng)至所述噴頭下方時(shí),所述噴頭向所述塑封區(qū)噴灑塑封料。
10.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,在所述選擇性噴涂處理結(jié)束后,進(jìn)行所述固化處理。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝方法,其特征在于,在進(jìn)行所述固化處理之前,還包括:在進(jìn)行所述選擇性噴涂處理的過(guò)程中,對(duì)位于所述塑封區(qū)的塑封料進(jìn)行加熱處理,且所述加熱處理的工藝溫度低于所述固化處理的工藝溫度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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