[發(fā)明專利]晶圓級(jí)封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811604440.2
• 申請(qǐng)日: 2018-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN111370330B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦曉珊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56
• 代理公司: 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，包括：

提供集成有第一芯片的器件晶圓，所述器件晶圓包括集成有所述第一芯片的第一正面以及與所述第一正面相背的第一背面，所述器件晶圓的第一正面上鍵合有第二芯片，所述第二芯片與所述器件晶圓通過熔融鍵合工藝實(shí)現(xiàn)鍵合，相鄰所述第二芯片與所述器件晶圓之間圍成塑封區(qū)；第二芯片與相對(duì)應(yīng)的第一芯片上下一一對(duì)應(yīng)，且第二芯片和第一芯片在器件晶圓上的投影相互錯(cuò)開；塑封區(qū)具有相對(duì)的第一邊界和第二邊界；

形成所述塑封區(qū)后，進(jìn)行選擇性噴涂處理，向所述塑封區(qū)噴灑塑封料，且對(duì)所述塑封料進(jìn)行固化處理，形成位于所述塑封區(qū)的塑封層，所述塑封層覆蓋所述器件晶圓，且覆蓋所述第二芯片的側(cè)壁；

所述塑封層的形成方法包括：獲取所述器件晶圓上的塑封區(qū)的位置信息；基于獲取的所述位置信息，進(jìn)行選擇性噴涂處理，在所述第一邊界且距離所述第一邊界第一距離時(shí)，開始噴灑塑封料，在距離所述第二邊界第二距離且未超過所述第二邊界時(shí)，結(jié)束向塑封區(qū)噴灑塑封料；

形成塑封層后，在器件晶圓內(nèi)形成與第一芯片電連接的第一互連結(jié)構(gòu)、以及與第二芯片電連接的第二互連結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述選擇性噴涂處理的步驟包括：提供可移動(dòng)噴頭；

使所述噴頭在所述器件晶圓上方移動(dòng)，當(dāng)所述噴頭移動(dòng)經(jīng)過所述塑封區(qū)上方時(shí)，所述噴頭向所述塑封區(qū)噴灑塑封料。

3.如權(quán)利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述噴頭移動(dòng)經(jīng)過同一塑封區(qū)上方至少兩次，以形成所述塑封層；且所述噴頭前一次移動(dòng)經(jīng)過所述塑封區(qū)上方時(shí)的移動(dòng)路徑具有第一方向，所述噴頭后一次移動(dòng)經(jīng)過同一塑封區(qū)上方時(shí)的移動(dòng)路徑具有第二方向，所述第二方向與第一方向不同。

4.如權(quán)利要求2或3所述的封裝方法，其特征在于，所述第二芯片在所述器件晶圓上呈沿X方向和Y方向的陣列式分布，所述陣列式分布的第二芯片與器件晶圓之間圍成若干行塑封區(qū)和若干列塑封區(qū)；所述噴頭的移動(dòng)路徑具有的方向包括：+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求4所述的封裝方法，其特征在于，所述噴頭的移動(dòng)路徑具有的方向還包括：與X方向呈45°的傾斜方向或者與Y方向呈45°的傾斜方向。

6.如權(quán)利要求1所述封裝方法，其特征在于，獲取所述器件晶圓上的塑封區(qū)的位置信息的方法包括：基于預(yù)設(shè)位置信息將所述第二芯片置于所述器件晶圓上，將所述預(yù)設(shè)位置信息作為所述塑封區(qū)的位置信息；或者，在將所述第二芯片置于所述器件晶圓上后，對(duì)所述器件晶圓表面進(jìn)行光照射，采集經(jīng)器件晶圓表面反射的光信息，獲取所述塑封區(qū)的位置信息。

7.如權(quán)利要求2所述封裝方法，其特征在于，基于獲取的所述位置信息，進(jìn)行所述選擇性噴涂處理的方法包括：所述噴頭在所述器件晶圓上方移動(dòng)的同時(shí)，即時(shí)獲取所述噴頭在所述器件晶圓上的實(shí)時(shí)位置；基于所述實(shí)時(shí)位置和獲取的位置信息，控制所述噴頭在所述器件晶圓上移動(dòng)的過程中向所述塑封區(qū)噴灑塑封料。

8.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述選擇性噴涂處理的步驟包括：提供噴頭和可移動(dòng)載臺(tái)；

將所述器件晶圓置于所述可移動(dòng)載臺(tái)上，使所述器件晶圓在噴頭下方移動(dòng)，當(dāng)所述塑封區(qū)移動(dòng)至所述噴頭下方時(shí)，所述噴頭向所述塑封區(qū)噴灑塑封料。

9.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在所述選擇性噴涂處理結(jié)束后，進(jìn)行所述固化處理。

10.如權(quán)利要求9所述的封裝方法，其特征在于，在進(jìn)行所述固化處理之前，還包括：在進(jìn)行所述選擇性噴涂處理的過程中，對(duì)位于所述塑封區(qū)的塑封料進(jìn)行加熱處理，且所述加熱處理的工藝溫度低于所述固化處理的工藝溫度。

11.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法還包括：在所述第一正面形成第一氧化層；所述第二芯片具有待鍵合面，在所述待鍵合面上形成第二氧化層；通過所述第一氧化層和第二氧化層進(jìn)行熔融鍵合工藝。