[發明專利]扇出型晶圓級封裝方法

在審

• 申請號: 201811604438.5
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN111370329A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 秦曉珊
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/48
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，包括：

提供多個芯片，所述芯片具有正面和與所述正面相對的背面，且所述芯片內具有電連接結構，所述正面暴露出所述電連接結構表面；

提供載板；

將所述多個芯片臨時鍵合于所述載板上，相鄰芯片與所述載板之間圍成塑封區；

進行選擇性噴涂處理，向所述塑封區噴灑塑封料，且對位于所述塑封區的塑封料進行固化處理，形成覆蓋所述芯片側壁的塑封層；

在形成所述塑封層之后，進行解鍵合處理以去除所述載板；在所述芯片上以及塑封層上形成再布線結構，所述再布線結構與所述電連接結構之間電連接。

2.如權利要求1所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述選擇性噴涂處理的方法包括：提供可移動的噴頭；采用所述噴頭在所述載板上方移動，當所述噴頭移動經過所述塑封區上方時，所述噴頭向所述塑封區噴灑塑封料。

3.如權利要求2所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述噴頭移動經過同一塑封區上方至少兩次，以形成所述塑封層；所述噴頭前一次移動經過所述塑封區上方時的移動路徑具有第一方向，噴頭后一次移動經過同一塑封區上方時的移動路徑具有第二方向，所述第二方向與第一方向不同。

4.如權利要求2或3所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，在所述鍵合處理之后，所述芯片在所述載板上呈沿X方向和Y方向的陣列式分布，所述陣列式分布的芯片與載板之間圍成若干行塑封區和若干列塑封區；所述噴頭的移動路徑具有的方向包括：+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一種或多種。

5.如權利要求4所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述噴頭的移動路徑具有的方向還包括：與X方向呈45°的傾斜方向或者與Y方向呈45°的傾斜方向。

6.如權利要求1或2所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，在進行所述選擇性噴涂處理之前，獲取所述載板上的塑封區的位置信息；基于獲取的所述位置信息，進行所述選擇性噴涂處理。

7.如權利要求2所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述噴頭向所述塑封區噴灑塑封料的方法包括：所述塑封區具有相對的第一邊界和第二邊界，所述第一邊界指向第二邊界的方向與噴頭移動方向一致，當所述噴頭移動經過第一邊界且距離第一邊界第一距離時，所述噴頭開始噴灑塑封料，所述第一距離范圍為0～30mm；當所述噴頭移動至距離第二邊界第二距離且未超過第二邊界時，所述噴頭結束噴灑塑封料，所述第二距離范圍為5mm～30mm。

8.如權利要求2所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述噴頭與所述載板之間的垂直距離為5mm～30mm。

9.如權利要求1所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述選擇性噴涂處理的方法包括：提供噴頭和可移動載臺；將所述載板置于所述可移動載臺上，使所述載板在噴頭下方移動，當所述塑封區移動至所述噴頭下方時，所述噴頭向所述塑封區噴灑塑封料。

10.如權利要求1所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，在所述選擇性噴涂處理結束后，進行所述固化處理。

11.如權利要求10所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，在進行所述固化處理之前，還包括，在進行所述選擇性噴涂處理過程中，對位于所述塑封區的塑封料進行加熱處理，且所述加熱處理的工藝溫度低于所述固化處理的工藝溫度。

12.如權利要求11所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述加熱處理的溫度范圍為20℃～120℃；所述固化處理的溫度范圍為120℃～160℃。

13.如權利要求1所述扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述再布線結構包括：與所述電連接結構相接觸的再布線層，所述再布線層位于所述芯片表面以及與芯片相鄰接的塑封層表面；以及位于所述再布線層上的焊球。