[發(fā)明專利]光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811604380.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111370431B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦曉珊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H04N25/76 |
| 代理公司: | 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高靜;李麗 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電 傳感 集成 系統(tǒng) 封裝 方法 | ||
一種光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法,包括:形成感光組件,包括相對(duì)設(shè)置且相結(jié)合的光電傳感芯片和透光蓋板;提供承載基板,在承載基板上鍵合CMOS外圍芯片、電容器和互連柱,CMOS外圍芯片、電容器和互連柱露出的承載基板區(qū)域?yàn)榈谝凰芊鈪^(qū);進(jìn)行第一選擇性噴涂處理,至少向第一塑封區(qū)噴灑塑封料且對(duì)塑封料進(jìn)行固化處理,在承載基板上形成第一塑封層,至少填充滿CMOS外圍芯片、電容器和互連柱之間的空間,且封裝層中形成有至少一個(gè)光電傳感通孔;將感光組件中的至少透光蓋板置于光電傳感通孔內(nèi);形成互連結(jié)構(gòu),電連接CMOS外圍芯片、電容器、互連柱和光電傳感芯片。本發(fā)明簡(jiǎn)化封裝工藝,提高封裝可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法。
背景技術(shù)
隨著人們生活水平的不斷提高,業(yè)余生活也更加豐富,攝影逐漸成為人們記錄出游以及各種日常生活的常用手段,因此具有拍攝功能的電子設(shè)備(例如:手機(jī)、平板電腦和照相機(jī)等)越來越多地應(yīng)用到人們的日常生活以及工作中。
具有拍攝功能的電子設(shè)備通常都設(shè)有鏡頭模組,鏡頭模組的設(shè)計(jì)水平是決定拍攝質(zhì)量的重要因素之一。鏡頭模組通常包括具有光電傳感芯片的攝像組件以及固定于所述攝像組件上方且用于形成被攝物體影像的鏡頭組件。其中,光電傳感芯片是一種能夠感受外部入射光并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的電子器件。
為了提高鏡頭模組的成像能力,相應(yīng)需更大的光電傳感芯片,且通常還會(huì)在鏡頭模組中配置電阻、電容器等電路元件以及外圍芯片,因此目前的封裝工藝需要使光電傳感芯片、電路元件以及外圍芯片實(shí)現(xiàn)封裝與電學(xué)系統(tǒng)集成。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例解決的問題是提供一種光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法,在簡(jiǎn)化封裝工藝的同時(shí),提高封裝可靠性。
為解決上述問題,本發(fā)明實(shí)施例提供一種光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法,包括:形成至少一個(gè)感光組件,所述感光組件包括相對(duì)設(shè)置的光電傳感芯片和透光蓋板,且所述光電傳感芯片和所述透光蓋板相結(jié)合;提供承載基板,在所述承載基板上鍵合CMOS外圍芯片、電容器和互連柱,所述CMOS外圍芯片、電容器和互連柱露出的區(qū)域?yàn)榈谝凰芊鈪^(qū);進(jìn)行第一選擇性噴涂處理,至少向所述第一塑封區(qū)噴灑塑封料,且對(duì)所述塑封料進(jìn)行固化處理,在所述承載基板上形成第一塑封層,所述第一塑封層至少填充滿所述CMOS外圍芯片、電容器和互連柱之間的空間,且所述第一塑封層中形成有至少一個(gè)光電傳感通孔;形成互連結(jié)構(gòu),用于實(shí)現(xiàn)所述CMOS外圍芯片、電容器、互連柱和光電傳感芯片之間的電連接。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明實(shí)施例通過選擇性噴涂處理的方式形成第一塑封層,便于直接在所需區(qū)域形成第一塑封層,工藝靈活性較高,且避免現(xiàn)有形成塑封層中CMOS外圍芯片、電容器和互連柱受到注塑壓力的問題,以防止CMOS外圍芯片、電容器和互連柱發(fā)生變形或者破裂、提高了第一塑封層與CMOS外圍芯片、電容器以及互連柱之間的粘附性,相應(yīng)有利于提高第一塑封層的密封效果;綜上,本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝方法,在提高封裝效率的同時(shí),提高鏡頭模組的性能。
附圖說明
圖1至圖9是本發(fā)明光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法第一實(shí)施例中各步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖10是本發(fā)明光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法第二實(shí)施例對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖11至圖13是本發(fā)明光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法第三實(shí)施例中各步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖14至圖16是本發(fā)明光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法第四實(shí)施例中各步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖17是本發(fā)明光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法第五實(shí)施例對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
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