[發(fā)明專利]光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811604380.4 | 申請日: | 2018-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN111370431B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 秦曉珊 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N25/76 |
| 代理公司: | 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高靜;李麗 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電 傳感 集成 系統(tǒng) 封裝 方法 | ||
1.一種光電傳感集成系統(tǒng)的封裝方法,其特征在于,包括:
形成至少一個感光組件,所述感光組件包括相對設(shè)置的光電傳感芯片和透光蓋板,且所述光電傳感芯片和所述透光蓋板相結(jié)合;
提供承載基板,在所述承載基板上鍵合CMOS外圍芯片、電容器和互連柱,所述CMOS外圍芯片、電容器和互連柱露出的區(qū)域為第一塑封區(qū);
進行第一選擇性噴涂處理,至少向所述第一塑封區(qū)噴灑塑封料,且對所述塑封料進行固化處理,在所述承載基板上形成第一塑封層,所述第一塑封層至少填充滿所述CMOS外圍芯片、電容器和互連柱之間的空間,且所述第一塑封層中形成有至少一個光電傳感通孔;
將所述感光組件中的至少所述透光蓋板置于對應(yīng)的所述光電傳感通孔內(nèi);
形成互連結(jié)構(gòu),用于實現(xiàn)所述CMOS外圍芯片、電容器、互連柱和光電傳感芯片之間的電連接。
2.權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,形成所述第一塑封層和光電傳感通孔的步驟包括:形成所述第一塑封層,至少填充滿所述CMOS外圍芯片、電容器和互連柱之間的空間;利用光刻工藝或激光切割工藝在所述第一塑封層中形成所述光電傳感通孔。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝方法,其特征在于,在所述第一選擇性噴涂處理的過程中,當(dāng)所述塑封料頂部和所述CMOS外圍芯片、電容器和互連柱中的最高者相平時,向所述CMOS外圍芯片、電容器和互連柱頂部以及所述第一塑封區(qū)繼續(xù)噴灑塑封料,使所述第一塑封層覆蓋所述CMOS外圍芯片、電容器和互連柱。
4.權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,在進行所述第一選擇性噴涂處理之前,還包括:在所述承載基板上鍵合預(yù)制件,用于定義所述光電傳感通孔的位置和形狀,所述CMOS外圍芯片、電容器、互連柱和預(yù)制件露出的區(qū)域為所述第一塑封區(qū);
形成所述第一塑封層和光電傳感通孔的步驟包括:形成所述第一塑封層,填充滿所述CMOS外圍芯片、電容器、互連柱和預(yù)制件之間的空間且露出預(yù)制件的頂部;去除所述預(yù)制件,在所述第一塑封層中形成所述光電傳感通孔。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝方法,其特征在于,在所述第一選擇性噴涂處理的過程中,當(dāng)所述塑封料頂部和所述CMOS外圍芯片、電容器、互連柱和預(yù)制件中的最高者相平時,向所述CMOS外圍芯片、電容器、互連柱和預(yù)制件頂部以及所述第一塑封區(qū)繼續(xù)噴灑塑封料,使所述第一塑封層覆蓋所述CMOS外圍芯片、電容器、互連柱和預(yù)制件:
在去除所述預(yù)制件之前,還包括:在所述第一塑封層中形成開口,所述開口露出所述預(yù)制件;
去除所述預(yù)制件的步驟包括:從所述開口中去除所述預(yù)制件。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,將所述感光組件中的至少所述透光蓋板置于對應(yīng)的所述光電傳感通孔內(nèi)后,所述光電傳感芯片置于所述光電傳感通孔外,所述光電傳感芯片露出的區(qū)域為第二塑封區(qū);實現(xiàn)所述CMOS外圍芯片、電容器、互連柱和光電傳感芯片之間的電連接后,還包括:進行第二選擇性噴涂處理,向所述第二塑封區(qū)噴灑塑封料,且對所述塑封料進行固化處理,形成覆蓋所述光電傳感芯片側(cè)壁的第二塑封層。
7.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述第一選擇性噴涂處理的步驟包括:提供可移動的噴頭;采用所述噴頭在所述承載基板上方移動,至少當(dāng)所述噴頭移動經(jīng)過所述第一塑封區(qū)上方時,所述噴頭向所述第一塑封區(qū)噴灑塑封料;或者,提供噴頭和可移動載臺;將所述承載基板置于所述可移動載臺上,使所述承載基板在所述噴頭下方移動,至少當(dāng)所述第一塑封區(qū)移動至所述噴頭下方時,所述噴頭向所述第一塑封區(qū)噴灑塑封料。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述第二選擇性噴涂處理的步驟包括:提供可移動的噴頭;采用所述噴頭在所述第一塑封層上方移動,當(dāng)所述噴頭移動經(jīng)過所述第二塑封區(qū)上方時,所述噴頭向所述第二塑封區(qū)噴灑塑封料;或者,提供噴頭和可移動載臺;將所述第一塑封層置于所述可移動載臺上,使所述第一塑封層在所述噴頭下方移動,當(dāng)所述第二塑封區(qū)移動至所述噴頭下方時,所述噴頭向所述第二塑封區(qū)噴灑塑封料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





