[發(fā)明專利]一種用于P型單晶PERC電池的背面鈍化膜及背面鍍膜工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811603648.2 | 申請日: | 2018-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN109509796A | 公開(公告)日: | 2019-03-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 霍亭亭;張樹德;魏青竹;倪志春;連維飛;胡黨平 | 申請(專利權)人: | 蘇州騰暉光伏技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京精金石知識產權代理有限公司 11470 | 代理人: | 劉俊玲 |
| 地址: | 215542 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背面鈍化膜 電池 單晶 吸收率 背面 制備技術領域 電池背面 電池效率 鍍膜工藝 短路電流 鈍化膜層 氧化鋁層 由內向外 鍍膜層 鈍化膜 原有的 最外層 鍍膜 沉積 試驗 | ||
本發(fā)明屬于單晶PERC電池的制備技術領域,具體涉及一種用于P型單晶PERC電池的背面鈍化膜及背面鍍膜方法。該背面鈍化膜包括PERC電池背面由內向外依次沉積的氧化鋁層、SiNx層和SiOXNY層。本發(fā)明專利在原有的Al2O3/SiNx鍍膜層基礎上,在最外層增加了SiOXNY層。試驗例測試結果表明,在P型單晶PERC電池上使用原來的背鈍化膜Al2O3/SiNx,厚度為4nm/100nm時,電池對光的總吸收率為74.1%;當使用本發(fā)明實施例1提供的背面鈍化膜Al2O3/SiNx/SiOXNY,電池對光的總吸收率為92.8%;同時,該鈍化膜層可起到保護作用,提高了短路電流,提升電池效率。
技術領域
本發(fā)明屬于單晶PERC電池的制備技術領域,具體涉及一種用于P型單晶PERC電池的背面鈍化膜及背面鍍膜工藝。
背景技術
目前,高效電池技術成為一個主流趨勢。有研究表明,常規(guī)單晶電池主要效率區(qū)間為19.8-20%,對應的組件功率為280W,光學損失占效率總損失的50%以上。在這種背景下,PERC電池應運而生。PERC技術,即鈍化發(fā)射極背面接觸,通過在太陽能電池背面形成鈍化層,可大幅降低背表面電學復合速率,形成良好的內部光學背反射機制,提升電池的開路電壓Voc、短路電流Isc,從而提升電池的轉換效率。
PERC太陽能電池具有工藝簡單,成本較低,且與現有電池生產線兼容性高的優(yōu)點是新開發(fā)出來的一種高效太陽能電池,得到了業(yè)界的廣泛關注,有望成為未來高效太陽能電池的主流方向。
目前量產化的P型單晶PERC電池背面鈍化的主流工藝是:用ALD方法先沉積一層<10nm厚的Al2O3,然后再用PECVD的方法沉積一層厚度70-120nm厚的SiNx層。但是,SiNx膜層是一種較高折射率的鍍膜材料,折射率一般為1.9-2.1。氮化硅用在電池片正表面是一種表現優(yōu)良的減反射材料,但如果用在電池片背面,則會由于較高折射率而造成一部分吸收光的損失,從而影響電池Isc的提升。
基于以上原因,為了提高電池的轉換效率,科研工作者進行了各種改進的嘗試。比如中國專利CN106972066A公開了一種基于ALD工藝在的PERC電池制備方法,該方法包括1)制絨;2)擴散;3)背面拋光、刻蝕和去磷硅玻璃;4)背面ALD制備氧化鋁;5)正面PECVD沉積SiNx減反射膜;6)背面PECVD沉積背面鈍化膜層;7)背面激光局部開口;8)絲網印刷、燒結。該方法的關鍵點在于步驟6)背面PECVD沉積背面鈍化膜層過程中,在硅片表面先沉積SiONx膜后再沉積SiNx膜,通過改善單晶體薄膜表面形態(tài)和繞鍍色差,提升電池的轉換效率。但按上述工藝制得的電池的轉化效率提升有限,而且仍然無法克服電池高溫燒結(700度以上)后電池效率降低的問題。
發(fā)明內容
為了解決現有技術中的上述問題,本申請的發(fā)明目的在于提供一種用于P型單晶PERC電池的背面鈍化膜層,該鈍化膜層可以提高電池片背面鈍化、增加內反射效果,進而提高電池的轉化效率;本發(fā)明的另一個發(fā)明目的在于提供上述背面鈍化膜層的鍍膜工藝。
為了實現上述發(fā)明目的,本發(fā)明的其中一個技術方案是:一種用于P型單晶PERC電池的背面鈍化膜,其包括PERC電池背面由內向外依次沉積的氧化鋁層、SiNx層和SiOXNY層。
優(yōu)選地,所述氧化鋁層的厚度<10nm。
優(yōu)選地,所述SiNx層的厚度為40-75nm;折射率為1.9-2.4。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





