[發明專利]一種用于P型單晶PERC電池的背面鈍化膜及背面鍍膜工藝

在審

• 申請號: 201811603648.2
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109509796A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 霍亭亭;張樹德;魏青竹;倪志春;連維飛;胡黨平
• 申請（專利權）人: 蘇州騰暉光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 北京精金石知識產權代理有限公司 11470
• 代理人: 劉俊玲

1.一種用于P型單晶PERC電池的背面鈍化膜，其包括PERC電池背面由內向外依次沉積的氧化鋁層、SiN_x層和SiO_XN_Y層。

2.根據權利要求1所述的背面鈍化膜，所述SiN_x層的厚度為40-75nm。

3.根據權利要求1所述的背面鈍化膜，所述SiO_XN_Y層的厚度為50-150nm。

4.根據權利要求3所述的背面鈍化膜，所述SiO_XN_Y層的厚度為85-130nm。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的背面鈍化膜，所述SiO_XN_Y層中的X,Y分別取值范圍是：X＝1-2；Y＝2-4。

6.一種如權利要求1-5中任一項所述的背面鈍化膜的鍍膜工藝，其包括如下步驟：

首先采用ALD沉積法在單晶P型硅片背面鍍一層Al₂O₃膜，然后再用PECVD的方法在硅片背面Al₂O₃膜上面沉積SiN_x層和SiO_XN_Y層。

7.根據權利要求6所述的鍍膜工藝，所述沉積SiN_x層和SiO_XN_Y層包括如下步驟：

1)由硅烷和氨氣在400-500℃條件下沉積50-300s，

2)由硅烷和氨氣在400-500℃條件下沉積100-400s，

3)由硅烷、氨氣和笑氣在400-500℃條件下沉積50-300s。

8.根據權利要求7所述的鍍膜工藝，步驟1)中硅烷和氨氣的體積比為1:(2-8)。

9.根據權利要求7所述的鍍膜工藝，步驟3)中硅烷、氨氣、笑氣的體積比為1:(1-5):(7-15)。

10.一種含有權利要求1-5中任一項所述的背面鈍化膜的單晶PERC電池的制備工藝包括如下步驟：

制絨、擴散、刻蝕、正面熱氧化、背面ALD制備氧化鋁層、背面PEVCD沉積SiN_x層和SiO_XN_Y層、正面PEVCD沉積SiN_x層、激光開槽、絲網印刷。