[發明專利]一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質

有效

• 申請號: 201811603013.2
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109449727B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 鄭林;彭智祥;劉樹文;王艷紅
• 申請（專利權）人: 東莞銘普光磁股份有限公司
• 主分類號: H01S3/00
• 分類號: H01S3/00;H01S5/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本申請公開了一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質，包括：將光模塊放置在高溫環境下，當MCU溫度指針達到目標工作溫度時，調節激光器核心溫度值、偏壓電流值和VEA值，使光模塊的光功率、消光比、通道代價滿足目標值；以光模塊中MCU溫度指針為索引，根據服務器上預先存儲的數據庫中激光器核心溫度值、VEA值與調節后的激光器核心溫度值、VEA值的對應關系，動態更新本地數據庫中激光器核心溫度值、VEA值；在常溫和低溫下分別測試光模塊的光功率、消光比和通道代價，若性能正常，則完成參數配置。本申請通過上述步驟將帶EML激光器的光模塊在高溫調試和常溫低溫測試，即能制作成品率高和合格率高的產品。

技術領域

本發明涉及光電通信領域，特別是涉及一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質。

背景技術

電吸收調制激光器(Electlro-absorption Modulated Laser，EML)內部集成有光隔離器、背光監控、TEC制冷片、熱敏電阻等部件，具有集成度高、速率高、隔離度高等特點，應用于光模塊中。

EML激光器的反向偏置電壓(Voltage Electro-absorption，VEA)是影響光模塊的光功率和通道代價的關鍵因素，常常由于VEA的調試導致光功率不能滿足要求。又由于EML激光器的TEC在制熱效率大于制冷效率，即TEC制熱所需要的電流遠小于TEC制冷所需要的電流，當環境溫度大于激光器的目標溫度時，TEC制冷，且越大于激光器的目標溫度時，TEC的工作電流越大，導致TEC的制冷效率越差，而當環境溫度小于激光器的目標溫度時，TEC制熱，且越小于激光器的目標溫度時，TEC的工作電流越大，導致TEC的制熱效率越差，進而導致光模塊在高溫或者低溫時功耗急劇增加。

目前，現有的帶EML激光器的光模塊參數配置方法中，以環境溫度為參考值，設置VEA最小初始值，再在EML激光器工作波長滿足要求的前提下，調整光眼圖交叉點、消光比、溫度、自動光功率控制的取值，使得EML激光器的光眼圖交叉點、消光比、輸出光功率、工作波長滿足使用要求；再檢測VEA是否達到設定的電吸收反向偏置電壓范圍的最大值，若否則逐漸增加VEA值，直至光眼圖交叉點、消光比、輸出光功率、偏置電流和光眼圖富裕量均滿足設定的要求范圍，且全溫下VEA和激光器工作溫度不做改變。該方法容易產生高低溫時，光模塊的光功率、通道代價等參數有比較大的概率出現產品不良。

因此，如何解決在高低溫時，光模塊的參數有較大概率出現產品不良的問題，是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質，通過將帶EML激光器的光模塊經高溫調試和常溫低溫測試，可以得到成品率高，合格率高的產品。其具體方案如下：

一種光模塊參數配置方法，包括：

將光模塊放置在高溫環境下，當所述光模塊中MCU溫度指針達到目標工作溫度時，調節EML激光器核心溫度值、偏壓電流值和VEA值，使所述光模塊的光功率、消光比、通道代價滿足目標值；

以所述光模塊中MCU溫度指針為索引，保持偏壓電流值不變，根據服務器上預先存儲的數據庫中EML激光器核心溫度值、VEA值與調節后的EML激光器核心溫度值、VEA值的對應關系，動態更新本地數據庫中EML激光器核心溫度值、VEA值；

根據更新后的本地數據庫中的參數，在常溫和低溫下分別測試所述光模塊的光功率、消光比和通道代價，若性能正常，則完成參數配置。

優選地，在本發明實施例提供的上述光模塊參數配置方法中，在將光模塊放置在高溫環境下之前，還包括：

以光模塊中MCU溫度指針為索引，下載服務器上預先存儲的數據庫中設置的參數值，根據下載好的參數值設置初始的EML激光器核心溫度值，偏壓電流值和VEA值。