[發明專利]一種陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201811602885.7
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109755261A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 陳書志;陳俊吉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本申請提出了一種陣列基板及其制作方法。所述陣列基板包括基板。設置在基板上的有源層。設置在有源層上的柵絕緣層。設置在柵絕緣層上的金屬層。其中，所述有源層包括兩端的源極和漏極，以及位于所述源極和漏極之間的溝道區。本申請通過將有源層的兩端直接作為源極和漏極使用，從而在省掉一層絕緣層的基礎上，能夠減少兩道光罩制程，有效的簡化了陣列基板的制作工藝，減少了產品的成本。

技術領域

本申請涉及顯示領域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術

近年來，基于金屬氧化物的薄膜晶體管因為其遷移率高、透光性好、薄膜結構穩定、制備溫度低以及成本低等優點受到越來越多的重視。特別是以銦鎵鋅氧化物(In-Ga-Zn-O,IGZO)為代表的金屬氧化物TFT，與目前a-Si TFT制成兼容性較高，因而在大尺寸顯示面板的生產中得到了廣泛的應用。

現有技術中制備薄膜晶體管的方法包括四個光罩步驟，分別為：

使用第一光罩在基板上制作有源層圖案；

使用第二光罩制作第一絕緣層圖案；

使用第三光罩制作金屬層圖案；

使用第四光罩制作第二絕緣層圖案；

使用第五光罩制作漏極和源極圖案。

因此，如何節省光罩的成本及簡化工藝為業界所持續研究的課題。

發明內容

本申請提供一種陣列基板及其制作方法，以解決陣列基板制程采用光罩工藝使用次數較多，生產工藝復雜且成本較高的問題。

為解決上述問題，本申請提供的技術方案如下：

根據本申請的一個方面，提供了一種陣列基板，包括：

基板；

設置在所述基板上的有源層；

設置在所述有源層上的柵絕緣層；

設置在所述柵絕緣層上的金屬層；

其中，所述有源層包括兩端的源極和漏極，以及位于所述源極和所述漏極之間的溝道區。

根據本申請一實施例，所述有源層的制作材料包括多晶硅和銦鎵鋅氧化物中的其中一者。

根據本申請一實施例，所述有源層的制備材料包括銦鎵鋅氧化物，所述有源層還包括像素電極，所述像素電極位于所述溝道區遠離所述源極的一側。

根據本申請一實施例，所述柵絕緣層的位置和圖案與所述溝道區的位置和圖案相對應。

根據本申請一實施例，所述陣列基板還包括：

設置在所述金屬層上方并覆蓋所述有源層的鈍化層；

設置在所述鈍化層上的透明電極。

根據本申請的另一個發明、還提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

步驟S10、提供一基板；

步驟S20、在所述基板上通過第一光罩工藝形成圖案化的通道層；

步驟S30、在所述基板上通過第二光罩工藝形成層疊設置的圖案化的柵絕緣層和圖案化的金屬層，所述柵絕緣層與所述通道層接觸；

步驟S40、以所述金屬層作為光罩，對所述通道層的兩端進行離子注入以形成有源層，所述有源層包括中間的溝道區以及分別位于所述溝道區兩端的源極和漏極。

根據本申請一實施例，所述有源層的制作材料包括多晶硅和銦鎵鋅氧化物中的其中一者。