[發明專利]一種陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201811602885.7
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109755261A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 陳書志;陳俊吉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

設置在所述基板上的有源層；

設置在所述有源層上的柵絕緣層；

設置在所述柵絕緣層上的金屬層；

其中，所述有源層包括兩端的源極和漏極，以及位于所述源極和所述漏極之間的溝道區。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的制作材料包括多晶硅和銦鎵鋅氧化物中的其中一者。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的制備材料包括銦鎵鋅氧化物，所述有源層還包括像素電極，所述像素電極位于所述溝道區遠離所述源極的一側。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層的位置和圖案與所述溝道區的位置和圖案相對應。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

設置在所述金屬層上方并覆蓋所述有源層的鈍化層；

設置在所述鈍化層上的透明電極。

6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步驟S10、提供一基板；

步驟S20、在所述基板上通過第一光罩工藝形成圖案化的通道層；

步驟S30、在所述通道層上通過第二光罩工藝形成層疊設置的圖案化的柵絕緣層和圖案化的金屬層，所述柵絕緣層與所述通道層接觸；

步驟S40、以所述金屬層作為光罩，對所述通道層的兩端進行離子注入以形成有源層，所述有源層包括中間的溝道區以及分別位于所述溝道區兩端的源極和漏極。

7.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有源層的制作材料包括多晶硅和銦鎵鋅氧化物中的其中一者。

8.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有源層的制備材料包括銦鎵鋅氧化物，所述有源層還包括像素電極，所述像素電極位于所述溝道區遠離所述源極的一側，所述像素電極、所述源極與所述漏極在同一道離子注入中形成。

9.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，采用電漿工藝對所述通道層進行離子注入。

10.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板的制作方法還包括：

步驟S50、在所述金屬層上形成非金屬層，采用第三光罩工藝對所述非金屬層進行圖案化以形成鈍化層；

步驟S60、在所述鈍化層上形成透明電極。